ZHCSRD7B January 2023 – March 2024 DRV8145-Q1
PRODUCTION DATA
在 VVM = 13.5V 時測得
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RHS_ON | 高側 FET 導通電阻，HTSSOP 封裝 | IOUT = 18A，TJ = 25°C | 9.5 | mΩ | ||
| IOUT = 18A，TJ = 150°C | 19 | mΩ | ||||
| 高側 FET 導通電阻，VQFN-HR 封裝 | IOUT = 18A，TJ = 25°C | 8 | mΩ | |||
| IOUT = 18A，TJ = 150°C | 15.2 | mΩ | ||||
| RLS_ON | 低側 FET 導通電阻，HTSSOP 封裝 | IOUT = 18A，TJ = 25°C | 9.5 | mΩ | ||
| IOUT = 18A，TJ = 150°C | 19 | mΩ | ||||
| 低側 FET 導通電阻，VQFN-HR 封裝 | IOUT = 18A，TJ = 25°C | 8 | mΩ | |||
| IOUT = 18A，TJ = 150°C | 15.2 | mΩ | ||||
| VSD | 當體二極管被正向偏置時的低側和高側 FET 源漏電壓 | IOUT = +/- 18A（兩個方向） | 0.4 | 0.9 | 1.5 | V |
| RHi-Z | 處于休眠或待機狀態時的 OUT 接地電阻 | VOUTx = VVM = 13.5V | 0.4 | 23 | kΩ | |