ZHCSRD8A January 2023 – March 2024 DRV8143-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
-
6 規(guī)格
- 6.1 絕對(duì)最大額定值
- 6.2 ESD 等級(jí)
- 6.3 建議運(yùn)行條件
- 6.4 熱性能信息
- 6.5
電氣特性
- 6.5.1 電源和初始化
- 6.5.2 邏輯 I/O
- 6.5.3 SPI I/O
- 6.5.4 配置引腳 - 僅限 HW 型號(hào)
- 6.5.5 功率 FET 參數(shù)
- 6.5.6 具有高側(cè)再循環(huán)的開(kāi)關(guān)參數(shù)
- 6.5.7 具有低側(cè)再循環(huán)的開(kāi)關(guān)參數(shù)
- 6.5.8 IPROPI 和 ITRIP 調(diào)節(jié)
- 6.5.9 過(guò)流保護(hù) (OCP)
- 6.5.10 過(guò)熱保護(hù) (TSD)
- 6.5.11 電壓監(jiān)控
- 6.5.12 負(fù)載監(jiān)測(cè)
- 6.5.13 故障重試設(shè)置
- 6.5.14 瞬態(tài)熱阻抗和電流能力
- 6.6 SPI 時(shí)序要求
- 6.7 開(kāi)關(guān)波形
- 6.8 典型特性
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 寄存器映射 - 僅限 SPI 型號(hào)
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
訂購(gòu)信息
9.4.2 布局示例
下圖展示了用于帶引線封裝器件的 4cm x 4cm x 1.6mm、4 層 PCB 的布局示例。在這 4 層中，在頂部/底部信號(hào)層使用 2盎司銅，在內(nèi)部電源層使用 1盎司銅，熱過(guò)孔鉆孔直徑為 0.3mm，鍍銅層為 0.025mm，最小過(guò)孔間距為 1mm。無(wú)引線 VQFN-HR 封裝也可以采用相同的布局。4cm x 4cm x 1.6mm 的節(jié) 6.5.14基于類(lèi)似的布局。
注意：所示布局示例適用于采用 VQFN-HR 封裝的 DRV814xQ1 器件的全橋拓?fù)洹?/p>
圖 9-9 布局示例：4cm x 4cm x 1.6mm，4 層 PCB