ZHCSRD8A January 2023 – March 2024 DRV8143-Q1
PRODUCTION DATA
使用額定電壓為 VM、推薦值為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將每個 VM 引腳旁路至接地。這些電容器應盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的引線或接地層連接至器件 GND 引腳。
需要額外的大容量電容器來繞過高電流路徑。放置此大容量電容器時應做到盡可能縮短任何高電流路徑的長度。連接金屬走線應盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法最大限度地減少了電感并允許大容量電容器提供大電流。
在 VCP 和 VM 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。該電容器的容值應為 1μF，額定電壓為 6.3V，類型為 X5R 或 X7R。
對于 SPI (P) 器件型號，可以使用一個推薦電容為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷 6.3V 旁路電容器將 VDD 引腳旁路至接地。