ZHCSU48 December 2023 BQ76972
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(OVP) | 過壓檢測范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置（50.6mV 階躍） | 1.012 V 至 5.566 V（步長為 50.6 mV） | V | ||
| V(OVP_ACC) | 過壓檢測電壓閾值精度(4) | TA = +25°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.012V 和 5.566V 之間(2) | ±2 | mV | ||
| TA = +25°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 3.036V 和 5.06V 之間(2) | -10 | 10 | mV | |||
| TA = –10°C 至 +60°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.012V 和 5.566V 之間(2) | ±3 | mV | ||||
| TA = –10°C 至 +60°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 3.036V 和 5.06V 之間(2) | -15 | 15 | mV | |||
| TA = –40°C 至 +85°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.012V 和 5.566V 之間(2) | ±5 | mV | ||||
| TA = –40°C 至 +85°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 3.036V 和 5.06V 之間(2) | –25 | 25 | mV | |||
| V(OVP_DLY) | 過壓檢測延遲(3) | 標(biāo)稱設(shè)置（3.3ms 階躍） | 10ms 至 6753ms，以 3.3ms 為步長 | ms | ||
| V(UVP) | 欠壓檢測范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置（50.6mV 階躍） | 1.012 V 至 4.048 V（步長為 50.6 mV） | V | ||
| V(UVP_ACC) | 欠壓檢測電壓閾值精度(4) | TA = +25°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.012V 和 4.048V 之間(2) | ±1.3 | mV | ||
| TA = +25°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.518V 和 3.542V 之間(2) | -10 | 10 | mV | |||
| TA = –10°C 至 +60°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.012V 和 4.048V 之間(2) | ±1.4 | mV | ||||
| TA = –10°C 至 +60°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.518V 和 3.542V 之間(2) | -15 | 15 | mV | |||
| TA = –40°C 至 +85°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.012V 和 4.048V 之間(2) | ±1.6 | mV | ||||
| TA = –40°C 至 +85°C，標(biāo)稱設(shè)置介于 1.518V 和 3.542V 之間(2) | –25 | 25 | mV | |||
| V(UVP_DLY) | 欠壓檢測延遲(3) | 標(biāo)稱設(shè)置（3.3ms 階躍） | 10ms 至 6753ms，以 3.3ms 為步長 | ms | ||
| V(SCD) | 放電短路電壓閾值范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置，閾值基于 VSRP – VSRN | –10、 –20、 –40、 –60、 –80、 –100、 –125、 –150、 –175、 –200、 –250、 –300、 –350、 –400、 –450、 –500 |
mV | ||
| V(SCD_ACC) | 放電短路電壓閾值檢測精度(4) | TA = –40°C 至 +85°C，V(SCD) 設(shè)置 ≤ –20mV | -15% | 15% | ||
| TA = –40°C 至 +85°C，V(SCD) 設(shè)置 > –20mV | -35% | 35% | ||||
| V(SCD_DLY) | 放電短路檢測延遲 | 最快設(shè)置（VSRN – VSRP 上為 3mV） | 8 | μs | ||
| 最快設(shè)置（VSRN – VSRP 上為 25mV） | 600 | ns | ||||
| 標(biāo)稱設(shè)置（15μs 階躍） | 15μs 至 450μs，階躍為 15μs | μs | ||||
| V(OCC) | 充電過流 (OCC) 電壓閾值范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置，閾值基于 VSRP – VSRN | 4 mV 至 124 mV（步長為 2mV） | mV | ||
| V(OCD) | 放電過流（OCD1、OCD2）電壓閾值范圍 | 標(biāo)稱設(shè)置，閾值基于 VSRP – VSRN | -4mV 至 -200mV（步長為 2mV） | mV | ||
| V(OC_ACC) | 過流（OCC、OCD1、OCD2）檢測電壓閾值精度(4) | |設(shè)置| < 20mV | -2 | 2.65 | mV | |
| |設(shè)置| = 20mV 至 56mV | -4 | 4 | mV | |||
| |設(shè)置| = 56mV 至 100mV | -5 | 5 | mV | |||
| |設(shè)置| > 100mV | –7 | 5 | mV | |||
| V(OC_DLY) | 過流（OCC、OCD1、OCD2）檢測延遲（每個保護均具有獨立的延遲設(shè)置） | 標(biāo)稱設(shè)置（3.3ms 階躍） | 10ms 至 425ms，以 3.3ms 為步長 | ms | ||