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ZHCSU48 December 2023 BQ76972

PRODUCTION DATA

封裝選項

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PFB|48
- MTQF019B

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.26 高側(cè) NFET 驅(qū)動器

所述典型值的條件是 T_A = 25°C 且 V_BAT = 59.2V，最小值/最大值的條件是 T_A = –40°C 至 85°C 且 V_BAT = 4.7V 至 80V（除非另有說明）⁽¹⁾

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
V_{(FETON_HI)}	相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓，8V ≤ V_BAT≤ 80V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，電荷泵高過驅(qū)設(shè)置	10	11	13	V
V_{(FETON_HI_LOBAT)}	相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓，4.7V ≤ V_BAT < 8V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，電荷泵高過驅(qū)設(shè)置	8	11	13	V
V_{(FETON_LO)}	相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓，8V ≤ V_BAT≤ 80V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，電荷泵低過驅(qū)設(shè)置	4.5	5.7	7	V
V_{(FETON_LO_LOBAT)}	相對于 BAT 的 CHG 引腳電壓、相對于 BAT 的 DSG 引腳電壓，4.7V ≤ V_BAT < 8V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，電荷泵低過驅(qū)設(shè)置	3.5	5	7	V
V_{(SRCFOL_FETON)}	相對于 BAT 的 DSG 導(dǎo)通電壓	CHG/DSG C_L = 20nF，源極跟隨器模式		0		V
V_(CHGFETOFF)	相對于 BAT 的 CHG 關(guān)斷電壓	CHG/DSG C_L = 20nF，穩(wěn)態(tài)值			0.4	V
V_(DSGFETOFF)	相對于 LD 的 DSG 關(guān)斷電壓	CHG/DSG C_L = 20nF，穩(wěn)態(tài)值			0.7	V
t_{(FET_ON)}	CHG 和 DSG 上升時間	CHG/DSG C_L = 20nF，R_GATE = 100Ω，0.5V 至 4V 柵源過驅(qū)，電荷泵高過驅(qū)設(shè)置⁽⁴⁾⁽⁵⁾		21	40	μs
t_(CHGFETOFF)	CHG 下降至 BAT 的時間	CHG C_L = 20nF，R_GATE = 100Ω，V_(FETON) 的 90% 至 10%⁽⁵⁾		46	65	μs
t_(DSGFETOFF)	DSG 下降至 LD 的時間	DSG C_L = 20nF，R_GATE = 100Ω，V_(FETON) 的 90% 至 10%⁽⁵⁾		2	20	μs
t_{(CP_START)}	電荷泵啟動時間	C_L = 20nF，C_(CP1) = 470nF，V_(FETON) 的 10% 至 90%			100	ms
C_(CP1)	電荷泵電容器⁽³⁾		100	470	2200	nF

(1) 當(dāng)電荷泵未運(yùn)行時，支持使用高達(dá) 80V 的 V_BAT 運(yùn)行。每當(dāng)電荷泵工作（處于 5.5V 或 11V 模式）時，V_BAT 上的最大電壓應(yīng)降低，以確保 CP1、CHG 和 DSG 上的電壓不超過其最大額定電壓。

(2) 當(dāng) DSG 驅(qū)動器啟用時，CHG 驅(qū)動器被禁用，并且會在 LD 引腳上施加一個電壓，使 V_LD > V_DSG，DSG 上的電壓將上升至大約 V_LD – 0.7V

(3) 由設(shè)計指定

(4) 根據(jù)特征確定

(5) 可以在設(shè)計和系統(tǒng)評估期間對 R_GATE 進(jìn)行優(yōu)化，以獲得最佳性能。可能需要較大的值以避免 FET 關(guān)閉關(guān)斷，否則會因電芯和線束電感而導(dǎo)致較大的電壓瞬態(tài)。