雖然電容隔離器普遍用于低壓模擬信號、數字信號傳輸或需要有限功率傳輸 (<100μW) 的應用，但集成式 IC 磁隔離技術在需要高頻直流/直流電源轉換的應用中具有優勢。IC 變壓器耦合隔離的一個特定優勢是可以在大多數應用中傳輸超過數百毫瓦的功率，無需次級側偏置電源。也可以使用磁隔離來發送高頻信號。在需要同時發送電源和數據的系統中，您可以使用相同的變壓器繞組線圈來滿足功率和信號需求，如圖 8 所示。

對于磁隔離，TI 使用專有多芯片模塊方法，協同封裝高性能平面變壓器與隔離式功率級和專用控制器裸片。TI 可以使用高性能鐵氧體磁芯來構建這些變壓器，以提高耦合和變壓器效率，或者在應用只需要適度的功率傳輸時使用空芯來節省成本和降低復雜性。

圖 9 中的示例展示了雙裸片多芯片模塊，它使用專用控制機制、時鐘方案和高 Q 值集成平面變壓器，以便實現低輻射發射和高效率同時提供出色的熱性能。變壓器拓撲可能包含可選的頂部和底部鐵氧體板，利用 TI 的專有薄膜聚合物層壓陣列作為絕緣柵。圖 9 中所示的變壓器配置是夾在兩塊并行鐵氧體板之間的聚合物層壓板內包含的變壓器繞組的一個例子。

在許多應用中，跨隔離柵所需的功率量適中（低于 100mW）。對于這些應用，TI 開發了一種用于制造高性能空芯變壓器的技術。TI 的空心變壓器類似于圖 9 中所示的技術，但沒有鐵氧體板。

TI 的所有變壓器（空心和鐵氧體鍍層）均采用屏蔽技術來提供更好的輻射 EMI 性能。在封裝級采用 EMI 緩解技術，減少了對旨在滿足傳導和輻射發射標準額外的電路板級濾波的需求。

單一隔離解決方案可能無法適合所有應用，因此在設計權衡之間作出取舍時需要了解不同的參數和規格。

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