ZHCAE99A September 2019 – July 2024 BQ24392 , HD3SS212 , HD3SS213 , HD3SS214 , HD3SS215 , HD3SS3202 , HD3SS3212 , HD3SS3220 , HD3SS3411 , HD3SS460 , TMUXHS4212 , TS3DV642 , TS3USB221 , TS3USB221A , TS3USB221E , TS3USB30 , TS3USB3000 , TS3USB3031 , TS3USB30E , TS3USB31 , TS3USB31E , TS3USB3200 , TS5USBA224 , TS5USBC400 , TS5USBC402 , TS5USBC41 , TUSB1042I , TUSB542
導通電阻 (RON) 是多路復用器在漏極和源極端子之間的路徑電阻，即多路復用器在閉合狀態時引入電路的電阻。影響 RON 的因素有很多，例如：
與 RON 相關的另一個重要規格是 RON 平坦度。RON 平坦度衡量的是 RON 在多路復用器工作電壓范圍內的變化情況。RON 平坦度會因多路復用器的類型和設計特性而有顯著差異。特別是音頻應用需要低平坦度值，因為平坦度導致的諧波失真應盡可能低
理想情況下，RON 應盡可能低，以保持較小的信號損失和傳播延遲。為了讓模擬多路復用器實現非常低的電阻和平坦度，有兩個參數至關重要。對于 PMOS 和 NMOS 來說，尺寸必須盡可能大，而電壓閾值必須盡可能低。增加 MOSFET 器件的寬長比 (W/L) 不僅會提高多路復用器的成本，同時還會導致更高的寄生電容和更大的器件面積。這種更大的寄生電容會降低模擬多路復用器能夠無失真傳輸信號的帶寬。