ZHCABN2 February 2022 UCC14240-Q1
單個 IGBT 和 SiC 分立式晶體管可采用工業標準封裝，如 TO-247 和 TO-263 ，廣泛用于汽車、工業和商業應用。但是，由于逆變器和大功率電機所需的獨特的三相半橋布置，在鋁基板上構建并封裝在塑料中的兩到六個分立式器件更為常見。這些專用的半橋模塊封裝專為高振動和熱管理而設計，可由 SiC 或 IGBT 開關組成。
IGBT 可以在低飽和電壓下承載大量的電流，導致低導通損耗，但受到關斷損耗、開關頻率和直流阻斷能力的限制。SiC MOSFET 是 HV 寬帶隙 (WBG) 器件，與硅基 IGBT 晶體管相比，因其優越的整體優勢而得到業界的廣泛認可。HV 開關損耗更低、熱性能更好、裸片尺寸更小、總柵極電荷更低、開關速度更快、傳導損耗更低，使 SiC 在 HV、大功率轉換逆變器中處于領先地位。