僅當 TVS 具有極低電感的接地路徑時，成功消除 ESD 源和 TVS 之間的所有寄生電感才會有效。TVS 接地引腳應連接到同一層的接地平面，且該接地平面與直接相鄰層上的另一個接地平面耦合。這些接地平面應通過過孔拼接在一起，其中一個過孔緊鄰 TVS 的接地引腳（參閱圖 2-8）。

圖 2-7 顯示了單通道 TVS 周圍的 PCB 電感（如前文圖 2-1 中所示）。本節僅考慮 L₃ 處的電感。請注意，在消除 L₂ 的情況下，在 ESD 事件期間提供給受保護 IC 的電壓將為 V_ESD = V_{br_TVS} + I_ESDR_DYN(TVS) + L₃(dI_ESD/dt)，而在 8kV 下，dI_ESD/dt = 4 × 10¹⁰。顯然，L₃ 必須盡可能地降低。

為了降低 L₃，TVS 接地引腳最好直接連接到耦合的接地平面。圖 2-8 展示了連接到頂層接地平面的 TVS 的接地焊盤。這里有四個拼接過孔，將頂層接地平面與內部接地平面連接。根據層數和電路板設計，這些過孔可能連接到多個接地平面層。接地機箱螺栓位置也非常接近 TVS 接地焊盤。類似這種的接地方案會為 L₃ 帶來極低的接地阻抗。

因為封裝類型，圖 2-8 與某些類型的 TVS 無關。采用 BGA 封裝且接地引腳被其他引腳圍繞的 TVS 需要通過過孔連接一個內部接地平面，最好是多個耦合的接地平面。圖 2-9 展示了一個具有這種接地引腳的 TVS。

需要構建過孔以提供盡可能小的阻抗。由于趨膚效應，最大化 GND 過孔的表面區域可以將接地路徑的阻抗最小化。因此，使過孔焊盤直徑和過孔鉆取直徑盡可能大，從而使過孔表面外部和內部的表面積最大化。接地平面在 GND 過孔的臨近區域內不應斷開。如果可能，將 GND 過孔與多個層上的接地平面連接，以盡可能減少阻抗。GND 過孔應使用非導電填充物（如樹脂）而不是導電填充物填充，目的是保留由鉆孔產生的過孔內部的表面積。GND 過孔應當電鍍在 SMD 焊盤上。GND 過孔和非接地平面（例如電源平面）之間的間隙應保持最小。這會增加電容，而電容可以降低阻抗。