產品詳情

Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN0603 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.75 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN0603 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.75 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X2SON (DPW) 4 0.64 mm2 0.8 x 0.8
  • IEC 61000-4-2 4 級
    • ±15kV 接觸放電
    • ±15kV 氣隙放電
  • IEC 61000-4-5(浪涌):3A (8/20μs)
  • IO 電容值:4.8pF(典型值)
  • RDYN:0.75Ω(典型值)
  • 直流擊穿電壓:±6V(最小值)
  • 超低泄漏電流:100nA(最大值)
  • 鉗位電壓:10V(IPP = 1A 時的最大值)
  • 工業溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  • 節省空間的 DPW 封裝 (0.8mm × 0.8mm)
  • IEC 61000-4-2 4 級
    • ±15kV 接觸放電
    • ±15kV 氣隙放電
  • IEC 61000-4-5(浪涌):3A (8/20μs)
  • IO 電容值:4.8pF(典型值)
  • RDYN:0.75Ω(典型值)
  • 直流擊穿電壓:±6V(最小值)
  • 超低泄漏電流:100nA(最大值)
  • 鉗位電壓:10V(IPP = 1A 時的最大值)
  • 工業溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  • 節省空間的 DPW 封裝 (0.8mm × 0.8mm)

TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封裝的四通道靜電放電 (ESD) 保護器件。此器件是業內領先的小型 4 通道瞬態電壓抑制器 (TVS) 二極管,間距為 0.48mm。這種較大的間距有助于節省印刷電路板 (PCB) 的制造成本。此器件提供符合 IEC61000-4-2 標準的高達 15kV 的接觸放電要求。此器件具有 ESD 鉗位電路,該電路的背對背二極管支持雙極雙向信號。4.8pF(典型值)的線路電容使得此器件適用于 支持 高達 700MHz 數據速率的廣泛應用。

TPD4E6B06 是一款采用超小型 DPW 封裝的四通道靜電放電 (ESD) 保護器件。此器件是業內領先的小型 4 通道瞬態電壓抑制器 (TVS) 二極管,間距為 0.48mm。這種較大的間距有助于節省印刷電路板 (PCB) 的制造成本。此器件提供符合 IEC61000-4-2 標準的高達 15kV 的接觸放電要求。此器件具有 ESD 鉗位電路,該電路的背對背二極管支持雙極雙向信號。4.8pF(典型值)的線路電容使得此器件適用于 支持 高達 700MHz 數據速率的廣泛應用。

下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

技術文檔

star =有關此產品的 TI 精選熱門文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 6
類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 具有 15kV 接觸放電和超低鉗位電壓的 TPD4E6B06 四通道雙向低電容 ESD 保護器件 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2017年 11月 22日
用戶指南 閱讀并了解 ESD 保護數據表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 9月 22日
應用手冊 ESD 包裝和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
應用手冊 ESD 保護布局指南 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 7月 25日
用戶指南 Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日
白皮書 Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日

設計和開發

如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。

評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝(包括 0402、0201 等)的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產品系列的開發平臺。為了測試任何型號的器件,該電路板支持所有傳統的 ESD 封裝結構。器件可以焊接到相應封裝結構,然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管,則應采用阻抗受控布局來獲取 S 參數并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管,則應采用有布線連接到測試點的封裝結構,以便輕松運行直流測試,例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置,輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
用戶指南: PDF | HTML
TI.com 上無現貨
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
X2SON (DPW) 4 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻