產(chǎn)品詳情

Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name USON Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 5 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 8 Dynamic resistance (typ) 0.6 Interface type USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name USON Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 5 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 8 Dynamic resistance (typ) 0.6 Interface type USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
USON (DQA) 10 2.5 mm2 2.5 x 1
  • 支持 USB 3.0 數(shù)據(jù)速率 (5Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保護(4 級接觸式)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 5A (8/20μs)
  • 低電容
    • DRT:0.7pF(典型值)
    • DQA:0.8pF(典型值)
  • 動態(tài)電阻:0.6Ω(典型值)
  • 節(jié)省空間的 DRT、DQA 封裝
  • 直通引腳映射
  • 支持 USB 3.0 數(shù)據(jù)速率 (5Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保護(4 級接觸式)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 5A (8/20μs)
  • 低電容
    • DRT:0.7pF(典型值)
    • DQA:0.8pF(典型值)
  • 動態(tài)電阻:0.6Ω(典型值)
  • 節(jié)省空間的 DRT、DQA 封裝
  • 直通引腳映射

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 的靜電放電 (ESD) 保護二極管陣列。TPDxEUSB30/A 器件的額定 ESD 沖擊消散值達到了 IEC 61000-4-2 國際標準(接觸式)規(guī)定的最高水平。根據(jù) IEC 61000-4-5(浪涌)規(guī)范,這類器件還可提供 5A (8/20µs) 的峰值脈沖電流額定值。

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流擊穿電壓。憑借低電容、低擊穿電壓和低動態(tài)電阻,TPD2EUSB30A 器件可為高速差分 IO 提供出色的保護。

TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用節(jié)省空間的 DRT (1mm × 1mm) 封裝。TPD4EUSB30 可采用節(jié)省空間的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封裝。

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 的靜電放電 (ESD) 保護二極管陣列。TPDxEUSB30/A 器件的額定 ESD 沖擊消散值達到了 IEC 61000-4-2 國際標準(接觸式)規(guī)定的最高水平。根據(jù) IEC 61000-4-5(浪涌)規(guī)范,這類器件還可提供 5A (8/20µs) 的峰值脈沖電流額定值。

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流擊穿電壓。憑借低電容、低擊穿電壓和低動態(tài)電阻,TPD2EUSB30A 器件可為高速差分 IO 提供出色的保護。

TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用節(jié)省空間的 DRT (1mm × 1mm) 封裝。TPD4EUSB30 可采用節(jié)省空間的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封裝。

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技術(shù)文檔

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用戶指南 閱讀并了解 ESD 保護數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 9月 22日
應(yīng)用手冊 ESD 保護布局指南 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 7月 25日
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設(shè)計和開發(fā)

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評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝(包括 0402、0201 等)的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產(chǎn)品系列的開發(fā)平臺。為了測試任何型號的器件,該電路板支持所有傳統(tǒng)的 ESD 封裝結(jié)構(gòu)。器件可以焊接到相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu),然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管,則應(yīng)采用阻抗受控布局來獲取 S 參數(shù)并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管,則應(yīng)采用有布線連接到測試點的封裝結(jié)構(gòu),以便輕松運行直流測試,例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置,輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
USON (DQA) 10 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

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