NESY036B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
奈米功率程序與高性能深度次微米技術的目標可能會有所衝突，該技術較著重於速度與閘極密度，而非減少 IQ。雖然處理程序可能有所不同，但大多數的洩漏皆來自較大的數位電路、記憶體與高功率 FET。常開電路的準確度通常會受限於控制電阻器和電容器等元件的能力及電晶體間不匹配。若未使用適當元件來處理洩漏並控制常開電路，將會造成典型的最糟情況 IQ 及溫度 ISHDN 比。若採用專用低功耗處理技術及適當元件，將可在製造上獲得優勢。
但將會面臨一個基本挑戰，即確保在低於閾值區域內偏置的元件能夠可靠地操作。常見的問題是隨機閾值電壓 (VT) 不匹配會增加。圖 9 說明文件中所報告的一項機制，此機制會在電晶體邊緣減少淺溝槽隔離技術 (STI) 中的氧化物，進而造成隨機不匹配增加。圖 9 中說明的這種平行低 VT 邊緣電晶體會使內部電晶體 VT 失真，對差動對及電流鏡等最基本的類比電路造成更高的隨機不匹配。這些不匹配會造成不同溫度下輸出電壓或模式控制準確度下降，這點可從產品規格書中清楚觀察到。