NESY036B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
解決洩漏與低於閾值的操作問題
TI 電源處理技術(shù)具備最佳低功耗設計元件。透過結(jié)合高密度電阻器和電容器及新興電路技術(shù)，來縮小 IQ 與晶粒面積。電源 FET 和數(shù)位邏輯可提供低洩漏電晶體並擁有最佳速度，因此不用犧牲 ISHDN 和面積。此外，在低 VGS-VT 位準下能夠?qū)Φ挽堕撝档牟僮鬟M行準確建模 (如 圖 18 所示)，因此可在微微安培/微米偏壓位準下提供可靠的運作。
圖 18 Sigma IDS 百分比不匹配與 VGS – VT。