NESY036B September 2021 – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02
IQ-GND、ISHDN 和 VOUT 準確度變化都是處理技術元件可製造性的良好指標。 表 1來自 TPS7A02 奈米功率 IQ、25-nA、200-mA 低壓降電壓穩壓器與快速瞬態響應產品規格書，其中列出在 -40°C 至 85°C 溫度範圍中，IGND 在無負載下會變化 25 nA 至 60 nA。這種在溫度中的變化是電流鏡射不匹配和 IBIAS 產生控制的典型代表。ISHDN 在室溫下從 3 nA 變化至 10 nA，可表示電源 FET 與數位邏輯洩漏控制情況。VOUT 準確度在不同溫度下為 <1.5%，則可表示低於閾值不匹配控制。