NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

1.   1
2.   概覽
3.   摘要
4.   影響 IQ 的因素
5.   低 IQ 為何產(chǎn)生新挑戰(zhàn)
   1.     瞬態(tài)回應
   2.     漣波
   3.     雜訊
   4.     晶粒尺寸與解決方案面積
   5.     洩漏與低於閾值的操作
6.   如何打破低 IQ 障礙
   1.     解決瞬態(tài)回應問題
   2.     解決切換雜訊問題
   3.     解決其他雜訊問題
   4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
   5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
7.   電氣特性
   1.     18
   2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統(tǒng)陷阱
   3.     實現(xiàn)低 IQ 但不犧牲靈活性
   4.     減少外部零組件數(shù)以降低汽車應用中的 IQ
   5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統(tǒng)層級支援低 IQ 的功能
8.   結(jié)論
9.   低 IQ的重要產(chǎn)品類別