ZHCSP86E May 2020 – February 2024 UCC5350-Q1
PRODUCTION DATA
UCC5350-Q1 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm 寬體 SOIC-8 (DWV) 封裝，可分別支持高達 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔離電壓。輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，隔離柵使用壽命超過 40 年。UCC5350-Q1 非常適用于在高壓牽引逆變器和車載充電器等應用中驅動 IGBT 或 MOSFET。
與光耦隔離器相比，UCC5350-Q1 器件的器件間偏移更低，傳播延遲更小，工作溫度更高，并且 CMTI 更高。