ZHCSPU2H December 2022 – October 2024 UCC21551-Q1
PRODMIX
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
圖 4-3 DFJ 封裝28 引腳 SOIC頂視圖| 引腳 | 類型(1) | 說(shuō)明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | |||
| DWK/DW | DFJ | |||
| EN | 5 | 9 | I | 設(shè)置為高電平時(shí)會(huì)同時(shí)啟用兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出,而設(shè)置為低電平時(shí)則會(huì)禁用兩個(gè)輸出。如果不使用該引腳,則建議將其連接至 VCCI,以實(shí)現(xiàn)更好的抗噪性能。如果保持懸空,則該引腳在內(nèi)部被拉低。建議在 EN 引腳上使用 RC 濾波器以過(guò)濾高頻噪聲,R = 0Ω 至 100Ω,C = 100pF 至 1000pF。 |
| DT | 6 | 12 | I | DT 引腳配置:
|
| GND | 4 | 4、8、15 | G | 初級(jí)側(cè)地基準(zhǔn)。初級(jí)側(cè)的所有信號(hào)都以該地為基準(zhǔn)。 |
| INA | 1 | 5 | I | A 通道的輸入信號(hào)。INA 輸入具有兼容 TTL/CMOS 的輸入閾值。該引腳在保持開(kāi)路時(shí)在內(nèi)部被拉至低電平。建議在 INA 上使用 RC 濾波器以過(guò)濾高頻噪聲,R = 10Ω 至 100Ω,C = 10pF 至 100pF。 |
| INB | 2 | 6 | I | B 通道的輸入信號(hào)。INB 輸入具有兼容 TTL/CMOS 的輸入閾值。該引腳在保持開(kāi)路時(shí)在內(nèi)部被拉至低電平。建議在 INB 上使用 RC 濾波器以過(guò)濾高頻噪聲,R = 10Ω 至 100Ω,C = 10pF 至 100pF。 |
| NC | 7 | 1-3、10、11、13、14、16-18 | – | 無(wú)內(nèi)部連接。 |
| NC | 12 | - | – | 無(wú)內(nèi)部連接。 |
| NC | 13 | - | – | 無(wú)內(nèi)部連接。 |
| OUTA | 15 | 26 | O | 驅(qū)動(dòng)器 A 的輸出。通過(guò)柵極電阻器連接到 A 通道晶體管的柵極。 |
| OUTB | 10 | 21 | O | 驅(qū)動(dòng)器 B 的輸出。通過(guò)柵極電阻器連接到 B 通道晶體管的柵極。 |
| VCCI | 3 | 7 | P | 初級(jí)側(cè)電源電壓。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦(連接至 GND)。 |
| VCCI | 8 | - | P | 初級(jí)側(cè)電源電壓。此引腳在內(nèi)部短接至引腳 3。 |
| VDDA | 16 | 27 | P | 驅(qū)動(dòng)器 A 的次級(jí)側(cè)電源。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦(連接至 VSSA)。 |
| VDDB | 11 | 22 | P | 驅(qū)動(dòng)器 B 的次級(jí)側(cè)電源。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦(連接至 VSSB)。 |
| VSSA | 14 | 24.28 | G | 次級(jí)側(cè) A 通道的接地基準(zhǔn)。 |
| VSSB | 9 | 19.23 | G | 次級(jí)側(cè) B 通道的接地基準(zhǔn)。 |