ZHCSPU2H December 2022 – October 2024 UCC21551-Q1
PRODMIX
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
- 6 參數測量信息
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 電源相關建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- DWK|14
- DW|16
- DFJ|28
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DW|16
訂購信息
8.2.2.2 選擇外部自舉二極管及其串聯電阻
每個周期，當低側晶體管導通時，自舉電容器會由 VDD 通過外部自舉二極管進行充電。為電容器充電涉及到高峰值電流，因此自舉二極管上的瞬態功率耗散可能會非常大。導通損耗還取決于二極管的正向壓降。柵極驅動器電路中的總損耗包括二極管導通損耗和反向恢復損耗。
選擇外部自舉二極管時，建議選擇高電壓、快速恢復二極管或者具有低正向壓降和低結電容的 SiC 肖特基二極管，以更大限度地減少反向恢復和相關接地噪聲反彈引入的損耗。本例中，直流鏈路電壓為 800 VDC。自舉二極管的電壓等級應該大于直流鏈路電壓并保留充分的裕度。因此，本例中選擇了 1200V SiC 二極管 C4D02120E。
設計自舉電源時，建議使用自舉電阻 RBOOT。自舉電阻還可用于降低 DBOOT 中的浪涌電流，并限制每個開關周期內 VDDA-VSSA 電壓的斜升壓擺率。
如不能將 VDDx-VSSx 的電壓限制在 FET 和 UCC21551x-Q1 的絕對最大額定值以下，在某些情況下可能對器件造成損壞。
RBOOT 的建議值在 1Ω 和 20Ω 之間，具體取決于所用的二極管。本例中選擇了一個 2.2Ω 限流電阻器來限制自舉二極管中的浪涌電流。在最壞的情況下，流經 DBoot 的峰值電流估計為：
方程式 2. 
其中
- VBDF 是 8A 條件下自舉二極管上的預計正向壓降。