在開始使用該器件進行設計之前，請注意以下事項：

• 讓 VIN、PGND 和 SW 布線盡可能寬，以便降低布線阻抗并改善散熱。
• 將功率元件（包括輸入和輸出電容器、電感器和 IC）放置在 PCB 的頂面。要屏蔽小信號布線并使其與有噪聲的電力線隔離，請至少插入一個實心接地內部平面。
• 注意 VIN 去耦電容器的放置位置對于功率 MOSFET 的穩健性非常重要。每個 VIN 引腳（引腳 3 和 9）上需要一個 1μF/25V/0402 陶瓷高頻旁路電容器，并連接到相鄰的 PGND 引腳（分別為引腳 4 和 8）。將剩余的陶瓷輸入電容放置在這些高頻旁路電容器旁邊。剩余的輸入電容可以放置在電路板的另一側，但要使用盡可能多的過孔，以更大限度地減少電容器和 IC 引腳之間的阻抗。
• 在 PGND 引腳（引腳 4、8 和 16）下方放置八個過孔，并在 PGND 引腳（引腳 4 和 8）附近放置盡可能多的過孔。此操作可以更大限度減小寄生阻抗并降低熱阻。
• 在兩個 VIN 引腳附近使用過孔，并通過內部層在過孔之間實現低阻抗連接。也可以在每個 VIN 引腳下方放置一個過孔。
• 將 VCC 去耦電容器盡可能靠近器件放置，并通過較短的返回路徑連接到 PGND 引腳 8。確保 VCC 去耦環路較小，并使用寬度為 12mil 或更寬的走線進行連接布線。
• 將 BOOT 電容器盡可能靠近 BOOT 和 SW 引腳放置。使用寬度為 12mil 或更寬的布線進行連接。
• 盡可能使開關節點短而寬。連接 SW 引腳和電感器高壓側的 PCB 布線定義為開關節點。
• 無論是單端檢測還是遙感，應始終將反饋電阻放置在該器件附近以盡可能縮短 FB 布線長度。
  • 對于遙感，FB 分壓電阻與遠位置之間的連接必須采用一對差分的 PCB 布線，并必須在 0.1μF 或更高的旁路電容器上實施開爾文檢測。遙感信號的接地連接必須連接到 GOSNS 引腳。遙感信號的 V_OUT 連接必須連接到反饋電阻分壓器，并讓底部反饋電阻端接在 GOSNS 引腳上。為了保持穩定的輸出電壓并更大限度減小紋波，這個遙感線路差分對必須遠離任何噪聲源（例如電感器和 SW 節點）或高頻時鐘線路。TI 建議用上下兩個接地平面屏蔽這對遙感線路。
  • 對于單端檢測，應將 FB 引腳和輸出電壓之間的頂部反饋電阻連接到 0.1μF 或更高的高頻本地輸出旁路電容器，并用短布線將 GOSNS 短接至 AGND。
• 將 AGND 引腳（引腳 2）連接到器件下方的 PGND 焊盤（引腳 16）。
• 將 MSEL 電阻器、ILIM 電阻器和 SS 電容器返回到一個安靜的 AGND 島。
• 避免在應用中將 PG 信號和任何其他噪聲信號路由到 ILIM、FB 和 GOSNS 等噪聲敏感信號附近，以限制耦合。
• 有關布局建議，請參閱布局示例。