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ZHCSSP0 February 2024 TPS54KC23

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RZR|16
- MPQF704A

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcssp0_oa

7.2.2.7 選擇輸入電容器 (C_IN)

該器件要求在兩對 VIN 和 PGND 引腳之間使用輸入旁路電容器來旁路掉功率級。在布局允許的情況下，旁路電容器必須盡可能靠近 IC 的引腳放置。至少需要標稱值為 20μF 的陶瓷電容和兩個高頻陶瓷旁路電容器。該器件具有 20μF 的硬性限制。某些應用可能需要更大的電容，甚至需要大容量電容器。降額會影響有效輸入電容值。必須盡可能靠近器件電路板同一側的 VIN 引腳 3 和 9 放置一個 0.1μF 至 1μF 電容器，用于提供所需的高頻旁路，從而減少 VIN 至 SW 以及 SW 至 PGND 功率級上的高頻過沖和下沖。TI 建議至少將 1μF 的旁路電容盡可能靠近每個 VIN 引腳，從而盡可能減少輸入電壓紋波。陶瓷電容器必須采用 X6S 或更高質(zhì)量的電介質(zhì)來實現(xiàn)高電容體積比，并在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定特性。除此要求外，根據(jù)應用的不同，輸入端可能需要更大的大容量電容，以便盡可能減小瞬態(tài)條件下輸入電壓的變化。

達到特定輸入紋波目標所需的輸入電容可通過方程式 32 計算得出。建議的目標輸入電壓紋波為最小輸入電壓的 5%，在本例中為 225mV。計算得出的輸入電容為 24.36μF，這滿足 20μF 的最小輸入電容要求。

方程式 32.

C_{I N} > \frac{V_{O U T} \times I_{O U T} \times (1 - \frac{V_{O U T}}{V_{I N} (m i n)})}{f_{S W} \times V_{I N} (m i n) \times V_{I N_R I P P L E}} = \frac{0.8 V \times 30 A \times (1 - \frac{0.8 V}{4.5 V})}{800 k H z \times 4.5 V \times 225 m V} = 2 4.36 μ F

此外，電容器的 RMS 電流等級還必須大于應用中的最大輸入 RMS 電流。輸入電容器必須支持的輸入 RMS 電流根據(jù)方程式 34 進行計算，在本例中的計算結果為 11.5A。陶瓷輸入電容器的電流等級大于此值。

方程式 33.

I_{C I N (R M S)} = \sqrt{\frac{V_{O U T}}{V_{I N} (m i n)} \times (\frac{(V_{I N} (m i n) - V_{O U T})}{V_{I N} (m i n)} \times {I_{O U T}}^{2} + \frac{{I_{R I P P L E}}^{2}}{12})} =

方程式 34.

I_{C I N (R M S)} = \sqrt{\frac{0.8 V}{4.5 V} \times (\frac{(4.5 V - 0.8 V)}{4.5 V} \times 30^{2} + \frac{{6.3}^{2}}{12})} = 11.5 A

對于需要大容量輸入電容的應用，例如具有低輸入電壓和大電流的應用，TI 建議使用如何選擇降壓轉(zhuǎn)換器的輸入電容器 模擬設計期刊中的選型過程。

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.2.2.7 選擇輸入電容器 (CIN)

7.2.2.7 選擇輸入電容器 (C_IN)