對(duì)于降壓轉(zhuǎn)換器，在高邊 MOSFET 的導(dǎo)通階段，開關(guān)電流以線性速度增加，速度由輸入電壓、輸出電壓、導(dǎo)通時(shí)間和輸出電感值決定。在低邊 MOSFET 的導(dǎo)通階段，該電流以線性方式下降。開關(guān)電流的平均值等于負(fù)載電流。

該器件中的輸出過流限制 (OCL) 由逐周期谷值電流檢測(cè)控制電路實(shí)施。在低邊 MOSFET 導(dǎo)通狀態(tài)期間會(huì)通過測(cè)量低邊 MOSFET 漏源電流來監(jiān)控電感器電流。如果測(cè)得的低邊 MOSFET 漏源電流高于電流限制閾值，則低邊 MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到電流電平低于電流限制閾值。這種類型的行為會(huì)降低該器件提供的平均輸出電流。

在過流情況下，流向負(fù)載的電流超過流向輸出電容器的電流。因此，輸出電壓趨于降低。最終，當(dāng)輸出電壓降至低于欠壓保護(hù)閾值 (79%) 時(shí)，UVP 比較器會(huì)檢測(cè)到電壓下降并在 70μs 的等待時(shí)間后關(guān)斷該器件。根據(jù)器件型號(hào)，該器件會(huì)自動(dòng)斷續(xù)或閉鎖，如過壓和欠壓保護(hù) 中所述。

圖 6-5 展示了逐周期谷值電流限制行為以及該器件關(guān)斷前的等待時(shí)間。

圖 6-5 過流保護(hù)

如果在啟動(dòng)期間發(fā)生 OCL 情況，該器件仍具有基于低邊谷值電流的逐周期電流限制。軟啟動(dòng)完成后，由 OCL 事件引起的 UV 事件會(huì)在 70μs 等待時(shí)間后關(guān)斷該器件。觸發(fā) UV 后，器件進(jìn)入斷續(xù)模式，如過壓和欠壓保護(hù) 所述。

從 ILIM 引腳連接到 AGND 的電阻 R_ILIM 可設(shè)置電流限制閾值。TI 建議使用容差為 ±1% 的電阻，因?yàn)槿莶钶^差的電阻提供的 OCL 閾值精度較低。方程式 5 根據(jù)該器件上給定的過流限制閾值計(jì)算 R_ILIM。方程式 6 根據(jù)給定的 R_ILIM 值計(jì)算過流限制閾值。

為了保護(hù)該器件以免意外連接到 ILIM 引腳上，該器件實(shí)現(xiàn)了一個(gè)內(nèi)部固定 OCL 鉗位。當(dāng) ILIM 引腳的電阻對(duì)于 AGND 而言過小或意外短接至接地端時(shí)，該內(nèi)部 OCL 鉗位會(huì)限制低邊 MOSFET 上的最大谷值電流。TI 不建議采用 <? 4.32kΩ 的 R_ILIM 進(jìn)行設(shè)計(jì)。

其中

• I_OCLIM 是負(fù)載電流的過流限制閾值（單位為 A）
• R_ILIM 是 ILIM 電阻值（單位為 Ω）
• K_OCL 是用于該計(jì)算的 134 × 10³ 常數(shù)
• V_IN 是輸入電壓值（單位為 V）
• V_OUT 是輸出電壓值（單位為 V）
• L 是輸出電感值（單位為 μH）
• f_SW 是開關(guān)頻率（單位為 MHz）