ZHCSYB3J August 2006 – May 2025 TLE4275-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VOUT | 輸出電壓 | VIN = 6V 至 28V，IOUT = 5mA 至 400mA | 4.9 | 5 | 5.1 | V | |
| VIN = 6V 至 40V，IOUT = 5mA 至 200mA | 4.9 | 5 | 5.1 | ||||
| IO | 輸出電流限制 | 450 | 700 | 950 | mA | ||
| ΔVOUT(ΔIOUT) | 負(fù)載調(diào)整（舊芯片） | IOUT = 5mA 至 400mA | 15 | 30 | mV | ||
| 負(fù)載調(diào)整（新芯片） | IOUT = 5mA 至 400mA，VIN = 6V | 15 | 30 | ||||
| ΔVOUT(ΔVIN) | 線路調(diào)整（舊芯片） | VIN = 8V 至 32V，IOUT = 5mA | -15 | 5 | 15 | mV | |
| 線路調(diào)整（新芯片） | VIN = 6V 至 40V，IOUT = 5mA | -15 | 5 | 15 | |||
| IQ | 電流消耗，IQ = IIN – IOUT（舊芯片） | IOUT = 1mA | TJ = 25oC | 150 | 200 | μA | |
| TJ ≤ 85oC | 150 | 220 | |||||
| 電流消耗，IQ = IIN – IOUT（新芯片） | TJ = 25oC | 28 | 50 | ||||
| TJ ≤ 85oC | 28 | 55 | |||||
| 電流消耗，IQ = IIN – IOUT | IOUT = 250mA | 5 | 10 | mA | |||
| IOUT = 400mA | 12 | 22 | |||||
| VDO | 壓降電壓 | IOUT = 300mA，VDO = VIN – VOUT | 250 | 500 | mV | ||
| VUVLO(RISING) | 上升輸入電源 UVLO（新芯片） | VIN 上升 | 2.6 | 2.7 | 2.82 | V | |
| VUVLO(FALLING) | 下降輸入電源 UVLO（新芯片） | VIN 下降 | 2.38 | 2.5 | 2.6 | V | |
| VUVLO(HYST) | V UVLO(IN) 遲滯（新芯片） | 230 | mV | ||||
| PSRR | 電源抑制比 | 頻率 = 100Hz，Vr = 0.5 Vpp | 60 | dB | |||
| ΔVOUT/ΔT | 溫度輸出電壓漂移： | 0.5 | mV/K | ||||
| VRESET(OL) | RESET (PG) 引腳低電平輸出電壓（舊芯片） | Rext ≥ 5k?，VOUT > 1V | 0.2 | 0.4 | V | ||
| RESET (PG) 引腳低電平輸出電壓（新芯片） | Rext ≥ 5k?，1V ≤ VOUT < 4.5V | 0.2 | 0.4 | ||||
| VOUT(RT) | RESET (PG) 開關(guān)閾值（舊芯片） | 4.5 | 4.65 | 4.8 | V | ||
| RESET (PG) 開關(guān)閾值（新芯片） | VOUT 上升 | 4.25 | 4.75 | ||||
| IROH | RESET 輸出漏電流 | VROH = 5V | 0 | 10 | μA | ||
| IDLY(CHARGE) | RESET 充電電流（舊芯片） | DELAY 引腳的電壓 = 1V | 3 | 5.5 | 9 | μA | |
| RESET 充電電流（新芯片） | 1 | 1.5 | 2 | ||||
| VDELAY_U (TH) | RESET 時(shí)序閾值上限（舊芯片） | DELAY 引腳上升時(shí)的電壓 | 1.5 | 1.8 | 2.2 | V | |
| RESET 時(shí)序閾值上限（新芯片） | DELAY 引腳上升時(shí)的電壓 | 1.17 | 1.21 | 1.25 | |||
| VDELAY_RL (TH) | RESET 時(shí)序閾值下限（舊芯片） | DELAY 引腳上升時(shí)的電壓 | 0.2 | 0.4 | 0.7 | V | |
| TSD(SHUTDOWN) | 結(jié)關(guān)斷溫度（新芯片） | 175 | °C | ||||
| TSD(HYST) | 熱關(guān)斷遲滯（新芯片） | 20 | °C | ||||