ZHCSYB3J August 2006 – May 2025 TLE4275-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
該器件包含一個熱關斷保護電路，用于在導通晶體管的結溫 (TJ) 上升到 TSD(shutdown)（典型值）時禁用器件。熱關斷遲滯可確保在溫度降至 TSD(reset)（典型值）時器件復位（導通）。
半導體芯片的熱時間常數相當短，因此當達到熱關斷時，器件可以上電下電，直到功率耗散降低。由于器件上的 VIN – VOUT 壓降較大，或為大型輸出電容器充電的浪涌電流較高，啟動期間的功率耗散較高。在某些情況下，熱關斷保護功能會在啟動完成之前禁用器件。
為了實現可靠運行，請將結溫限制在建議運行條件 表中列出的最大值。在超過這個最高溫度的情況下運行會導致器件超出運行規格。雖然器件的內部保護電路旨在防止熱過載情況，但此電路并不用于替代適當的散熱。使器件持續進入熱關斷狀態或在超過建議的最高結溫下運行會降低長期可靠性。