ZHCSYB3J August 2006 – May 2025 TLE4275-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
- 6 參數測量信息
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- PWP|20
- KTT|5
- KVU|5
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
5.7 典型特性
舊芯片：TA = 25°C；新芯片：在 TJ = –40°C 至 +150°C、VIN = 13.5V、IOUT = 100μA、COUT = 2.2μF、1mΩ < COUT ESR < 2Ω 且 CIN = 1μF 條件下指定（除非另有說明）
| VIN = 6V |
（舊芯片）
| VOUT = 5V，IOUT = 150mA |
| VOUT = 5V，IOUT = 1mA |
| COUT = 10μF，VOUT = 5V |
（舊芯片）
| VI = 13.5V |
（舊芯片）
| TJ = 25°C |
（舊芯片）
| VIN = 20V |
（新芯片）
| VDELAY = 1V |
（新芯片）
（新芯片）
| VIN = 13.5V、ILoad = 200mA、COUT = 22μF |
| COUT = 10μF (X7R 50V)、VOUT = 5V |
| COUT = 10μF (X7R 50V)、VOUT = 5V |
| VOUT = 5V、IOUT = 100mA、VIN = 5.5V 至 6.5V、 上升時間 = 1μs |
| VOUT = 5V，IOUT = 0mA 至 100mA，壓擺率 = 1A/μs， COUT = 10μF |
| VOUT = 5V、IOUT = 45mA 至 105mA、壓擺率 = 0.1A/μs、 COUT = 10μF |
（新芯片）
| VOUT = 5V、IOUT = 0mA 至 150mA、壓擺率 = 1A/μs、COUT = 10μF |
| VOUT = 5V、IOUT = 0mA 至 500mA、壓擺率 = 1A/μs、 COUT = 10μF |
（新芯片）
| VIN = VOUT + 1V、VOUT = 90% × VOUT(NOM) |
| VI = 28V |
（舊芯片）
| VOUT = 5V，IOUT = 5mA |
| COUT = 10μF，VOUT = 5V |
| VOUT = 5V |
| VI = 13.5V |
（舊芯片）
| VIN = 3V |
（新芯片）
| VI = 13.5V、VD = 1V |
| VI = 13.5V |
| VIN = 13.5V、ILoad = 1mA、COUT = 22μF |
| VIN = 13.5V、ILoad = 400mA、COUT = 22μF |
| COUT = 10μF (X7R 50V)、IOUT = 500mA、VOUT = 5V |
| COUT = 10μF (X7R 50V)、VOUT = 3.3V |
| VOUT = 5V、IOUT = 1mA、VIN = 13.5V 至 45V、 壓擺率 = 2.7V/μs |
| VOUT = 5V，IOUT = 0mA 至 100mA，壓擺率 = 1A/μs， COUT = 10μF |
| VOUT = 5V、IOUT = 45mA 至 105mA、壓擺率 = 0.1A/μs、 COUT = 10μF |
（新芯片）
| VOUT = 5V、IOUT = 0mA 至 150mA、壓擺率 = 1A/μs、 COUT = 10μF |
（新芯片）
| VOUT = 5V，IOUT = 150mA 至 350mA，壓擺率 = 0.1A/μs， COUT = 10μF |
（新芯片）
| VOUT = 5V，IOUT = 0mA 至 500mA，壓擺率 = 1A/μs， COUT = 10μF |
| VIN = 13.5V，VOUT = 5V，IOUT = 150mA，COUT = 10μF |
（新芯片）