所有電源軌都應(yīng)具有低 ESR 陶瓷電容器旁路，如節(jié) 9.2中所示和所述。
若要?jiǎng)?chuàng)建至 PGND、DGND 和 GND 的低阻抗連接，并最大限度地減小接地噪聲，應(yīng)在布局中使用具有多個(gè)填充導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂通孔的接地平面。
對于此器件，應(yīng)遵循特定布局設(shè)計(jì)建議：
- 為承載大電流的信號使用寬跡線：PVDD、VBAT1S、PGND、DGND、GND 和揚(yáng)聲器 OUT_P、OUT_N。
- 應(yīng)直接連接 PGND 引腳并短接到接地平面。
- DGND 引腳應(yīng)直接連接到接地平面。
- 將 VSNS_P 和 VSNS_N 連接至盡可能靠近揚(yáng)聲器的位置。
- 如果在輸出端使用了 EMI 鐵氧體，則 EMI 鐵氧體濾波器和揚(yáng)聲器之間應(yīng)連接 VSNS_P 和 VSNS_N。
- VSNS_P 和 VSNS_N 布線應(yīng)與開關(guān)信號（接口信號、揚(yáng)聲器輸出、自舉引腳）隔開并進(jìn)行屏蔽。
- 將自舉電容器放置在盡可能靠近 BST 引腳的位置。
- 應(yīng)將 PVDD 和 VBAT1S 的去耦電容器盡可能靠近引腳放置（請參閱圖 12-1）。