ZHCSP98B February 2022 – March 2023 TAS2780
PRODUCTION DATA
圖 9-1 典型應(yīng)用 - 數(shù)字音頻輸入| 元件 | 說明 | 規(guī)格 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| C1 | VBAT1S 去耦電容器 - VBAT1S 外部電源 (PWR_MODE0/1/3) | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 10 | μF | ||||
| 額定電壓 | 10 | V | ||||
| VBAT1S 去耦電容器 - VBAT1S 內(nèi)部生成 (PWR_MODE2) | 類型 | X7R | ||||
| 電容,容差為 20% | 1 | μF | ||||
| 額定電壓 | 10 | V | ||||
| C2 | VBAT1S 去耦電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 100 | nF | ||||
| 額定電壓 | 10 | V | ||||
| C3 | PVDD 去耦電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 22 | μF | ||||
| 額定電壓 | 30 | V | ||||
| C4 | PVDD 去耦電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 100 | nF | ||||
| 額定電壓 | 30 | V | ||||
| C5 | AVDD 去耦電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 4.7 | μF | ||||
| 額定電壓 | 6 | V | ||||
| C6 | DREG 去耦電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 1 | μF | ||||
| 額定電壓 | 6 | V | ||||
| C7 | IOVDD 去耦電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 1 | μF | ||||
| 額定電壓 | 6 | V | ||||
| C8、C9 | 自舉電容器 | 類型 | X7R | |||
| 電容,容差為 20% | 100 | nF | ||||
| 額定電壓 | 6 | V | ||||
| Lf1、Lf2(可選) | EMI 濾波電感器是可選的。TAS2780 器件支持無濾波器 D 類運行。如果使用鐵氧體磁珠 EMI 濾波器,則建議使用 PFFB 功能。 | 100MHz 時的阻抗 | 120 | Ω | ||
| 直流電阻 | 0.095 | Ω | ||||
| 直流電流 | 7 | A) | ||||
| Cf1、Cf2(可選) | EMI 濾波電容器是可選的。如果使用了 CF1、CF2,則設(shè)計必須使用 Lf2、Lf3 | 電容 | 1 | nF | ||
| RF | 降噪濾波電阻器 | 電阻器,20% 容差 | 1 | kΩ, | ||
| CF | 降噪濾波電容器 | 電容,容差為 20% | 10/RF(kΩ) | nF | ||
| 額定電壓 | 30 | V |