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ZHCSP98B February 2022 – March 2023 TAS2780

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RYA|30
- MPQF601

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

8.4.2.8.1 電源跟蹤限制器 (STL)

TAS2780 會監控 PVDD 電源電壓和音頻信號，以便在音頻信號峰值超過可編程閾值時自動降低增益。這有助于防止削波并在電池充電結束的情況下延長播放時間。

通過將 LIM_EN 位寄存器設置為高電平來啟用電源跟蹤限制器功能。

提供可配置的啟動速率、保持時間和釋放速率來控制限制器的動態響應（LIM_ATK_RT[3:0]、LIM_HLD_TM[2:0] 和 LIM_RLS_RT [3:0] 寄存器位）。

限制器應用的最大衰減水平可通過 LIM_MAX_ATTN[3:0] 寄存器位進行配置。如果限制器模式正在啟動并且達到最大衰減，則增益將不會進一步降低。

當輸出信號電平大于限制器閾值時，限制器開始降低增益。限制器可配置為以最小閾值跟蹤低于可編程拐點的 PVDD。下面的圖 8-5 顯示了將限制器配置為限制到一個恒定電平，而不管 PVDD 電平如何。若要實現此行為，請通過 LIM_TH_MAX[31:0] 寄存器位將限制器最大閾值設置為所需水平。將限制器拐點（寄存器位 LIM_INF_PT[31:0]）設置為低于允許的最小 PVDD 設置值。由寄存器位 LIM_TH_MIN[31:0] 設置的限制器最小閾值不會影響此用例中的限制器行為。

圖 8-5 具有固定閾值的限制器

圖 8-7 具有動態閾值的限制器

圖 8-6 具有拐點的限制器

圖 8-8 具有拐點和最小閾值的限制器

圖 8-6 顯示了如何配置限制器以跟蹤低于特定電平的 PVDD 電源，而無需設置最小閾值。將 LIM_TH_MAX[31:0] 寄存器位設置為所需的閾值，并將 LIM_INF_PT[31:0] 寄存器位設置為限制器將開始降低 PVDD 閾值的所需拐點。LIM_SLOPE[31:0] 寄存器位可用于通過 PVDD 更改限制器跟蹤的斜率。PVDD 每下降 1V，默認值 1V/V 就會將閾值降低 1V。如果需要，可以對更激進的跟蹤斜率進行編程。將 LIM_TH_MIN[31:0] 位編程到低于最小 PVDD 可防止限制器在跟蹤 PVDD 電源時遇到最小閾值降低的情況。

可以使用其他方式配置具有電源跟蹤斜率的限制器。通過將 LIM_HR_EN 寄存器位設置為高電平，可以通過設置 LIM_DHR[4:0] 寄存器位，使用 1V/V 斜率將余量指定為電源電壓的百分比。例如，如果指定 -10% 的余量，則峰值輸出電壓將設置為比 PVDD 高 10%。在圖 8-7 所示的這個用例中，從高于電源電壓的信號開始限制，并將產生固定削波。如果指定 +10% 的正余量，則峰值輸出電壓將動態設置為比當前 PVDD 低 10%。在這個用例中，將從低于電源電壓的信號電平開始限制，并會防止發生削波。

若要實現僅跟蹤 PVDD 達到最小閾值的限制器，請按照前面的示例配置限制器 LIM_TH_MAX [31:0] 和 LIM_SLOPE[31:0] 寄存器位。然后，還要將 LIM_TH_MIN[31:0] 寄存器位設置為所需的最小閾值。低于此最小閾值的電源電壓將不會繼續降低信號輸出電壓。圖 8-8 展示了這種情況。

通過將寄存器位 LIM_HR_EN 設置為低電平，限制器機制取決于最大/最小閾值、拐點和斜率的設置。一旦將該位設置為高電平，限制器動態余量將被啟用。

當 BOP（欠壓保護）事件發生時，可以暫停限制器更新（LIM_PDB 寄存器位設置為高電平），直到 BOP 完全釋放。這可用于防止兩個保護系統之間發生不良的交互。