11 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLJ (May 2023)to RevisionK (October 2025)
- 更新了特性 和應(yīng)用 部分，以加入 PCIe 第 7.0 代規(guī)范Go
- 已在規(guī)格 部分全面更新，以包含 PCIe 第 7.0 代規(guī)范Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLI (December 2017)to RevisionJ (May 2023)
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 添加了器件功能模式、應(yīng)用信息、典型應(yīng)用 和布局 部分Go
- 在特性 部分中添加了 LVPECL、LVDS、HCSL 和 LVCMOS 的頻率范圍Go
- 向應(yīng)用 添加了 PCIe 5.0 和 6.0Go
- 在封裝信息 表中添加了 LMK00301AGo
- 添加了 PCIe 5.0 與 PCIe 6.0 附加抖動規(guī)格到電氣特性。Go
- 在電氣特性 表中，將 HCSL 最大輸出頻率范圍 更改為 800MHz。Go
- 添加了 HCSL 占空比和 ΔVCROSS
的測試條件到電氣特性。Go
- 更新了典型特性 部分中 HCSL、LVDS 和 LVPECL 在 100MHz 下的相位噪聲 典型圖。Go
- 在典型特性 部分中添加了 HCSL 輸出擺幅 (VOD) 與頻率間的關(guān)系 典型圖。Go
- 將時鐘輸入 和時鐘輸出 移至器件功能模式 部分。Go
- 在應(yīng)用信息 中添加了應(yīng)用用例Go
- 在典型應(yīng)用 部分中添加了 PCI Express 應(yīng)用示例。Go
- 在設(shè)計要求 部分添加了驅(qū)動時鐘輸入 和晶體接口 主題。Go
- 將時鐘驅(qū)動器端接和使用 內(nèi)容移至詳細設(shè)計過程 部分。Go
- 在應(yīng)用性能圖 部分中添加了 HCSL 相位噪聲圖。Go
- 在布局指南 部分添加了新的布局指南。Go
- 在布局示例 部分中添加了 LMK00301 的 PCB 布局示例。Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLH (March 2016)to RevisionI (December 2017)
- 添加并更新了以下部分的信息：應(yīng)用、說明、電氣特性：電流消耗、電氣特性：HCSL 輸出 和電源時序
Go
- 添加了 LMK00301A 可訂購器件Go
- 向應(yīng)用 添加了 PCIe 4.0Go
- 在說明 中添加了 LMK00301 與 LMK00301A 之間的區(qū)別Go
- 添加了器件比較表
Go
- 添加了 LMK00301A LVDS 驅(qū)動器的 Icc 與 Icco 數(shù)據(jù)到電氣特性：電流消耗
Go
- 添加了 PCIe 4.0 附加抖動規(guī)格到電氣特性：HCSL 輸出
Go
- 添加了有關(guān) LMK00301 和 LMK00301A 規(guī)格的注釋到電氣特性 的腳注 (2) 中Go
- 在電源時序 中添加了有關(guān) LMK00301A 的簡短說明段落Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLG (May 2013)to RevisionH (March 2016)
- 向文檔標題添加了“超低附加抖動“Go
- 添加、更新或重命名了以下各個部分：規(guī)格、詳細說明、應(yīng)用和實施、電源相關(guān)建議、器件和文檔支持、機械、封裝和訂購信息
Go
- 在以下部分中將 Cin（典型值）從 1pF 修改為 4pF（基于更新后的測試方法）：電氣特性：晶體接口。Go
- 在以下部分中添加了“附加 RMS 抖動、積分帶寬 10kHz 至 20MHz”參數(shù)以及 100MHz 和 156.25MHz 測試條件、典型值、最大值和腳注：電氣特性：LVPECL 輸出Go
- 在以下部分中添加了“附加 RMS 抖動、積分帶寬 10kHz 至 20MHz”參數(shù)以及 100MHz 和 156.25MHz 測試條件、典型值、最大值和腳注：電氣特性：LVDS 輸出Go
- 添加了 VI_SE 參數(shù)的腳注到電氣特性 表。Go
- 在驅(qū)動時鐘輸入 末尾添加了新段落Go
- 在晶體接口 中將 Cin 修改為 4pF（典型值，基于更新后的測試方法）Go
- 添加了“電源時序”相關(guān)內(nèi)容Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (February 2013)to RevisionG (May 2013)
- 更改了目標應(yīng)用，方法為將附加應(yīng)用添加到第二個和第三個要點，并且從第一個要點中刪除高速和串行接口。Go
- 將 VCM 文本內(nèi)容更改為 VIH 至 VCM 參數(shù)的條件Go
- 從電氣特性表中刪除 VIH 最小值。Go
- 從電氣特性表中刪除 VIL 最大值。Go
- 添加了 VI_SE 參數(shù)和規(guī)格限值以及相應(yīng)的表格注釋到電氣特性表。Go
- 更改了驅(qū)動時鐘輸入部分中的第三段以包含 CLKin* 和 LVCMOS 文本內(nèi)容。修訂了內(nèi)容以更好地匹配電氣特性表中的信息。Go
- 將驅(qū)動時鐘輸入部分第四段的旁路電容文本內(nèi)容更改為信號衰減文本內(nèi)容。Go
- 將單端 LVCMOS 輸入，帶共模偏置的直流耦合 圖替換為修訂后的圖表。Go
- 在交流耦合差分操作的端接 的第二段中添加了文本內(nèi)容，以解釋使用交流耦合連接接收器的差分 LVDS 操作 的圖形更新情況Go
- 更改了差分 LVDS 操作，交流耦合，接收器無偏置 的圖并更新了標題。Go