ZHCSH72K September 2011 – October 2025 LMK00301
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHS|48
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHS|48
訂購(gòu)信息
9.2.1.2 晶體接口
LMK00301 具有一個(gè)集成式晶體振蕩器電路，可支持基頻 AT 切割晶體。圖 9-5 顯示了晶體接口。
圖 9-5 晶體接口負(fù)載電容 (CL) 取決于晶體，但通常約為 18pF 至 20pF。雖然為晶體指定了 CL，但器件的 OSCin 輸入電容（典型值 CIN = 4pF）和 PCB 雜散電容（CSTRAY 約為 1pF 到 3pF）會(huì)影響分立式負(fù)載電容值 C1 和 C2。
對(duì)于并聯(lián)諧振電路，分立式電容值可按如下方式計(jì)算：
通常，C1 = C2 以獲得最佳對(duì)稱性，因此可以僅使用 C1 重寫方程式 2：
最后，求解 C1：
電氣特性 為晶體接口規(guī)格提供了驗(yàn)證晶體啟動(dòng)的條件，但電氣特性未規(guī)定晶體功率耗散。設(shè)計(jì)人員需確認(rèn)晶體功率耗散未超過(guò)晶體制造商指定的最大驅(qū)動(dòng)電平。過(guò)度驅(qū)動(dòng)晶體會(huì)導(dǎo)致過(guò)早老化、頻率移位，并最終導(dǎo)致故障。驅(qū)動(dòng)電平必須保持在足以啟動(dòng)和保持穩(wěn)態(tài)運(yùn)行所需的電平。
晶體中耗散的功率 PXTAL 可通過(guò)以下公式計(jì)算：
其中
- IRMS 是通過(guò)晶體的 RMS 電流。
- RESR 為晶體規(guī)定的最大等效串聯(lián)電阻
- CL 是為晶體規(guī)定的負(fù)載電容
- C0 是為晶體規(guī)定的最小并聯(lián)電容
IRMS 可以通過(guò)電流探頭（例如 Tektronix CT-6 或等效器件）進(jìn)行測(cè)量，該探頭放在連接到 OSCout 的晶體引腳上（振蕩電路處于激活狀態(tài)）。
如圖 9-5 所示，必要時(shí)可以使用外部電阻器 RLIM 限制晶體驅(qū)動(dòng)電平。如果所選晶體中耗散的功率高于在 RLIM 短接時(shí)為晶體規(guī)定的驅(qū)動(dòng)電平，則必須使用更大的電阻值以避免過(guò)驅(qū)晶體。但是，如果晶體中耗散的功率低于 RLIM 短接時(shí)的驅(qū)動(dòng)電平，則 RLIM 可以使用零值。作為起始值，RLIM 的建議值為 1.5k?。