ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說(shuō)明
- 7.4 啟動(dòng)序列
- 7.5 器件功能模式
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RQS|52
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RQS|52
訂購(gòu)信息
7.3.12 零電流檢測(cè)（ZCD）（僅限LMG3527R030）
GaN FET 通常用于高頻軟開(kāi)關(guān)，需要檢測(cè) FET 電流過(guò)零來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制。LMG3527R030 集成了一個(gè)零電流檢測(cè)（ZCD）電路，該電路能夠在漏源電流為正值時(shí)提供一個(gè)數(shù)字反饋信號(hào)。當(dāng) IN 引腳信號(hào)變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，ZCD 電路包括消隱時(shí)間 tZCD_Blank，以防止在導(dǎo)通瞬態(tài)期間出現(xiàn)麻煩的 ZCD 觸發(fā)。在消隱期之后，ZCD 電路監(jiān)測(cè)漏源電流。如果電流為負(fù)，則檢測(cè)到過(guò)零點(diǎn)后，在 ZCD 引腳上設(shè)置一個(gè)寬度為 tWD_ZVD 的脈沖輸出，延遲時(shí)間為 tzc_Det。如果電流為正，則立即在 ZCD 引腳上設(shè)置脈沖輸出，如下面的時(shí)序圖所示。
圖 7-10 FET 導(dǎo)通為負(fù)電流時(shí)的 ZCD 時(shí)序圖
圖 7-11 FET 導(dǎo)通為正電流時(shí)的 ZCD 時(shí)序圖