ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
關斷狀態 FET 的作用類似二極管，能夠在阻斷一個方向（第一象限）的電流的同時，允許另一個方向（第三象限）的電流，并且能夠產生類似二極管的相應壓降。不過，FET 也能夠在壓降顯著降低的導通狀態下，傳導第三象限電流。理想二極管模式（IDM）是指通過控制 FET 進入關斷狀態的方式阻斷第一象限電流，通過進入導通狀態的方式傳導第三象限電流，從而實現理想的較低壓降。
無論是正常情況還是故障情況下，電源轉換器中都能經常看到 FET 關斷狀態第三象限電流。如 “GaN FET 操作定義”所述，GaN FET 本身并不具有傳導關斷狀態第三象限電流的 p-n 結體二極管。相反，LMG352xR030 的關斷狀態第三象限壓降比 p-n 結壓高出數倍，這可能會影響正常運行時的效率與故障條件下的器件耐用性。
為了提高器件在 GaN FET 過溫故障情況耐用性，LMG352xR030 器件實現了 GaN FET 過溫關斷理想二極管模式（OTSD-IDM）功能，詳見“過溫關斷保護”。OTSD-IDM 功能詳見后續部分。