ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
通過將一個電阻器 RRDRV 從 RDRV 引腳連接至接地，能夠在大約 20 V/ns 與 150V/ns 之間調節 LMG352xR030 的壓擺率。如果采用了較大的 RRDRV 電阻器，RDRV 引腳就是一個高阻抗節點。因此，如果屏蔽效果不好，就很容易受到漏極或其他快速波動高壓節點的耦合影響 。這會表現為不穩定的開關 dv/dt，極端情況下，還會因 RDRV 被檢測為開路導致出現瞬態故障。布局時，進行引腳屏蔽應當屬于首要任務，但如果這種耦合影響仍然存在問題，則可以在 RDRV 與 GND 之間增加一個用以穩定引腳電壓的，電容值不超過 1nF 的電容器。
壓擺率從以下方面影響 GaN 器件的性能：
通常，高壓擺率可實現低開關損耗，但高壓擺率也會產生較高的電壓過沖、噪聲耦合和 EMI 發射。遵循此數據表中的設計建議有助于緩解由高壓擺率引發的挑戰。LMG352xR030 讓電路設計人員能夠靈活地選擇合適的壓擺率，從而使其應用實現卓越的性能。