ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
在半橋中，必須使用高壓電平轉(zhuǎn)換器或數(shù)字隔離器為高側(cè)器件和控制電路之間的信號(hào)路徑提供隔離。對(duì)于低側(cè)器件，可以選擇性地使用隔離器。但是，使用隔離器可均衡高側(cè)和低側(cè)信號(hào)路徑之間的傳播延遲，并能夠?yàn)?GaN 器件和控制器使用不同的接地端。如果在低側(cè)器件上未使用隔離器，則必須將控制接地和電源接地連接到器件，而不是連接到電路板上的任何其他位置。如需更多信息，請(qǐng)參閱布局指南。對(duì)于快速開(kāi)關(guān)器件，共地電感在不使用隔離器的情況下很容易引起噪聲問(wèn)題。
為電平轉(zhuǎn)換選擇數(shù)字隔離器對(duì)于提高抗噪性非常重要。由于 GaN 器件可以在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中輕松產(chǎn)生大于 50V/ns 的高 dv/dt，因此 TI 強(qiáng)烈建議使用具有高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 和低勢(shì)壘電容的隔離器。具有低 CMTI 的隔離器很容易產(chǎn)生錯(cuò)誤信號(hào)，可能會(huì)導(dǎo)致?lián)舸?shì)壘電容是信號(hào)接地與電源接地之間的隔離電容的一部分，與開(kāi)關(guān)期間產(chǎn)生的共模電流和 EMI 發(fā)射成正比。此外，TI 強(qiáng)烈建議選擇非邊沿觸發(fā)的隔離器。在邊沿觸發(fā)隔離器中，高 dv/dt 事件可能會(huì)導(dǎo)致隔離器變?yōu)榉D(zhuǎn)狀態(tài)，從而導(dǎo)致電路故障。
一般來(lái)說(shuō)，首選具有默認(rèn)輸出低電平的開(kāi)/關(guān)鍵控隔離器（例如：TI 的 ISO77xxF 或 ISO67xxF 系列）。默認(rèn)低電平狀態(tài)可確保系統(tǒng)在啟動(dòng)或從故障事件中恢復(fù)時(shí)不會(huì)擊穿。由于高 CMTI 事件只會(huì)導(dǎo)致極短（幾納秒）的假脈沖，因此 TI 建議在驅(qū)動(dòng)器輸入端放置一個(gè)低通濾波器，如 300Ω 和 22pF R-C 濾波器，以便濾除這些假脈沖。