ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
電源環(huán)路由半橋中的兩個(gè)器件與高壓母線電容組成，能夠在開(kāi)關(guān)事件期間產(chǎn)生很高的 di/dt。通過(guò)最大限度減小該環(huán)路的電感，能夠降低振鈴與電磁干擾（EMI），以及降低器件上的電壓應(yīng)力。
將功率器件盡可能靠近放置，以便最大限度減小電源環(huán)路電感。去耦電容器與兩個(gè)器件放置在一條直線上。它們可以靠近任何一個(gè)器件放置。在“布局示例”中，器件放置在底層，去耦電容器放置在頂層。PGND 位于頂層，HVBUS 位于頂層與第三層，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)位于頂層。它們通過(guò)通孔與底層的功率器件相連。為了保持散熱器與導(dǎo)體之間的間隙，應(yīng)最大限度減小底層的走線面積。
對(duì)于電源環(huán)路電感，可根據(jù)漏源電壓開(kāi)關(guān)波形的振鈴頻率 fring，利用以下公式估算：
其中，Cring 等于總線電壓下的 COSS（參閱 圖 5-8，了解典型值）加上來(lái)自電路板與負(fù)載電感器或變壓器的漏源寄生電容。
由于負(fù)載元件的寄生電容很難表征，因此建議捕捉不含負(fù)載元件的 VDS 開(kāi)關(guān)波形，用以估算電源環(huán)路電感。通常，“布局示例”的電源環(huán)路電感約為 2.5nH。