ZHCSQH3B November   2022  – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 應用
4. 3 說明
5. 4 引腳配置和功能
6. 5 規格
   1. 5.1 絕對最大額定值
   2. 5.2 ESD 等級
   3. 5.3 建議運行條件
   4. 5.4 熱性能信息
   5. 5.5 電氣特性
   6. 5.6 開關特性
   7. 5.7 典型特性
7. 6 參數測量信息
   1. 6.1 開關參數
      1. 6.1.1 導通時間
      2. 6.1.2 關斷時間
      3. 6.1.3 漏源導通壓擺率
      4. 6.1.4 零電壓檢測時間（僅限 LMG3526R030）
      5. 6.1.5 零電流檢測時間（僅限 LMG3527R030）
   2. 6.2 安全工作區（SOA）
      1. 6.2.1 重復性安全工作區
8. 7 詳細說明
   1. 7.1 概述
   2. 7.2 功能方框圖
      1. 7.2.1 LMG3522R030 功能方框圖
      2. 7.2.2 LMG3526R030 功能方框圖
      3. 7.2.3 LMG3527R030 功能方框圖
   3. 7.3 特性說明
      1. 7.3.1  GaN FET 操作定義
      2. 7.3.2  直接驅動 GaN 架構
      3. 7.3.3  漏源電壓能力
      4. 7.3.4  內部降壓/升壓 DC-DC 轉換器
      5. 7.3.5  VDD 偏置電源
      6. 7.3.6  輔助 LDO
      7. 7.3.7  故障保護
         1. 7.3.7.1 過流保護與短路保護
         2. 7.3.7.2 過溫關斷保護
         3. 7.3.7.3 UVLO 保護
         4. 7.3.7.4 高阻抗 RDRV 引腳保護
         5. 7.3.7.5 故障報告
      8. 7.3.8  驅動強度調整
      9. 7.3.9  溫度傳感輸出
      10. 7.3.10 理想二極管模式操作
          1. 7.3.10.1 過熱關斷理想二極管模式
      11. 7.3.11 零電壓檢測（ZVD）（僅限LMG3526R030）
      12. 7.3.12 零電流檢測（ZCD）（僅限LMG3527R030）
   4. 7.4 啟動序列
   5. 7.5 器件功能模式
9. 8 應用和實施
   1. 8.1 應用信息
   2. 8.2 典型應用
      1. 8.2.1 設計要求
      2. 8.2.2 詳細設計過程
         1. 8.2.2.1 壓擺率選擇
            1. 8.2.2.1.1 使用自舉高側電源時的啟動與壓擺率
         2. 8.2.2.2 信號電平轉換
         3. 8.2.2.3 降壓/升壓轉換器設計
      3. 8.2.3 應用曲線
   3. 8.3 注意事項
   4. 8.4 電源相關建議
      1. 8.4.1 使用隔離式電源
      2. 8.4.2 使用自舉二極管
         1. 8.4.2.1 二極管選型
         2. 8.4.2.2 管理自舉電壓
   5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
         1. 8.5.1.1 焊點可靠性
         2. 8.5.1.2 電源環路電感
         3. 8.5.1.3 信號接地連接
         4. 8.5.1.4 旁路電容器
         5. 8.5.1.5 開關節點電容
         6. 8.5.1.6 信號完整性
         7. 8.5.1.7 高電壓間距
         8. 8.5.1.8 熱建議
      2. 8.5.2 布局示例
10. 9 器件和文檔支持
    1. 9.1 文檔支持
       1. 9.1.1 相關文檔
    2. 9.2 接收文檔更新通知
    3. 9.3 支持資源
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 靜電放電警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 術語表
11. 10修訂歷史記錄
12. 11機械、封裝和可訂購信息

集成了驅動器、保護與溫度報告功能的 LMG352xR030 650V 30m? GaN FET

本資源的原文使用英文撰寫。 為方便起見，TI 提供了譯文；由于翻譯過程中可能使用了自動化工具，TI 不保證譯文的準確性。 為確認準確性，請務必訪問 ti.com 參考最新的英文版本（控制文檔）。

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