ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 功率級 R017 | ||||||
| RDS(ON) | GaN FET 導(dǎo)通電阻 | LI = VCC = 5V，HI = 0V，I(DRN-SRC) = 45A，TJ = 25℃ | 1.7 | 2.2 | mΩ | |
| VSD | GaN 第三象限導(dǎo)通壓降 | ISD = 500mA，VVCC = 5V，HI = LI = 0V | 1.5 | V | ||
| IL-DRN-SRC | GaN FET 關(guān)斷時從 DRN 到 SRC 的漏電流 | DRN = 80V，HI = LI = 0V，VVCC = 5V，TJ = 25℃ | 12 | 200 | μA | |
| COSS | GaN FET 的輸出電容 | VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 1035 | 1423 | pF | |
| COSS(ER) | GaN FET 的輸出電容 - 與能量相關(guān) | VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 1223 | pF | ||
| COSS(TR) | GaN FET 的輸出電容 - 與時間相關(guān) | VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 1547 | pF | ||
| QG | GaN FET 的總柵極電荷 | VDS = 50V，ID = 45A，VGS = 5V | 20 | 29 | nC | |
| QGD | GaN FET 的柵漏電荷 | VDS = 50V，ID = 45A | 2 | nC | ||
| QGS | GaN FET 的柵源電荷 | VDS = 50V，ID = 45A | 6.7 | nC | ||
| QOSS | 輸出電荷 | VDS = 50V，VGS = 0V | 77 | 104 | nC | |
| QRR | 源極至漏極反向恢復(fù)電荷 | 不包括內(nèi)部驅(qū)動器自舉二極管 | 0 | nC | ||
| tHIPLH | 傳播延遲：HI 上升(2) | LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 38 | 70 | 120 | ns |
| tHIPHL | 傳播延遲：HI 下降(2) | LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 38 | 70 | 120 | ns |
| tLIPLH | 傳播延遲：LI 上升(2) | HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 19 | 40 | 65 | ns |
| tLIPHL | 傳播延遲：LI 下降(2) | HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 19 | 40 | 65 | ns |
| tMON | 延遲匹配：LI 高和 HI 低(2) | 4 | 30 | 55 | ns | |
| tMOFF | 延遲匹配：LI 低和 HI 高(2) | 4 | 30 | 55 | ns | |
| tPW | 可改變輸出的最小輸入脈沖寬度 | 10 | ns | |||
| 功率級 R044 | ||||||
| RDS(ON) | GaN FET 導(dǎo)通電阻 | LI = VCC = 5V，HI = 0V，I(DRN-SRC) = 16A，TJ = 25℃ | 4.4 | 5.7 | mΩ | |
| VSD | GaN 第三象限導(dǎo)通壓降 | ISD = 500mA，VVCC = 5V，HI = LI = 0V | 1.5 | V | ||
| IL-DRN-SRC | GaN FET 關(guān)斷時從 DRN 到 SRC 的漏電流 | DRN = 80V，HI = LI = 0V，VVCC = 5V，TJ = 25℃ | 4 | 80 | μA | |
| COSS | GaN FET 的輸出電容 | VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 364 | 478 | pF | |
| COSS(ER) | GaN FET 的輸出電容 - 與能量相關(guān) | VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 441 | pF | ||
| COSS(TR) | GaN FET 的輸出電容 - 與時間相關(guān) | VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 548 | pF | ||
| QG | GaN FET 的總柵極電荷 | VDS = 50V，ID = 16A，VGS = 5V | 7.3 | 9.3 | nC | |
| QGD | GaN FET 的柵漏電荷 | VDS = 50V，ID = 16A | 0.7 | nC | ||
| QGS | GaN FET 的柵源電荷 | VDS = 50V，ID = 16A | 2.8 | nC | ||
| QOSS | 輸出電荷 | VDS = 50V，ID = 16A | 27 | 35 | nC | |
| QRR | 源極至漏極反向恢復(fù)電荷 | 不包括內(nèi)部驅(qū)動器自舉二極管 | 0 | nC | ||
| tHIPLH | 傳播延遲：HI 上升(2) | LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 40 | 66 | 100 | ns |
| tHIPHL | 傳播延遲：HI 下降(2) | LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 40 | 66 | 100 | ns |
| tLPLH | 傳播延遲：LI 上升(2) | HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 20 | 36 | 55 | ns |
| tLPHL | 傳播延遲：LI 下降(2) | HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 20 | 36 | 55 | ns |
| tMON | 延遲匹配：LI 高和 HI 低(2) | 10 | 30 | 50 | ns | |
| tMOFF | 延遲匹配：LI 低和 HI 高(2) | 10 | 30 | 50 | ns | |
| tPW | 可改變輸出的最小輸入脈沖寬度 | 10 | ns | |||
| 輸入引腳 HI、LI | ||||||
| VIH | 高電平輸入電壓閾值 | 上升沿 | 1.87 | 2.06 | 2.22 | V |
| VIL | 低電平輸入電壓閾值 | 下降沿 | 1.48 | 1.66 | 1.76 | V |
| VHYS | 上升和下降閾值之間的遲滯 | 350 | mV | |||
| RI | 輸入下拉電阻 | 100 | 200 | 300 | k? | |
| 輸出引腳 HO | ||||||
| VOL | 低電平輸出電壓 | IOL = 10mA | 0.03 | V | ||
| VOH | 高電平輸出電壓 | IOL = -10mA | VHB-0.06 | V | ||
| 欠壓保護(hù) | ||||||
| VCCR | VCC 上升沿閾值 | 上升 | 3.2 | 3.8 | 4.5 | V |
| VCCF | VCC 下降沿閾值 | 3.0 | 3.6 | 4.3 | V | |
| VCC(hyst) | VCC UVLO 閾值遲滯 | 210 | mV | |||
| VHBR | HB 上升沿閾值 | 上升 | 2.5 | 3.2 | 3.9 | V |
| VHBF | HB 下降沿閾值 | 2.3 | 3.0 | 3.7 | V | |
| VHB(hyst) | HB UVLO 閾值遲滯 | 220 | mV | |||
| 自舉二極管 | ||||||
| VDL | 低電流正向電壓 | IVDD-HB = 100μA | 0.45 | 0.65 | V | |
| VDH | 高電流正向電壓 | IVDD-HB = 100mA | 0.9 | 1.2 | V | |
| RD | 動態(tài)電阻 | IVDD-HB = 100mA | 1.85 | ? | ||
| HB-HS 鉗位 | 穩(wěn)壓電壓 | 4.65 | 5 | 5.2 | V | |
| tBS | 自舉二極管反向恢復(fù)時間 | IF = 100mA，IR = 100mA | 40 | ns | ||
| QRR | 自舉二極管反向恢復(fù)電荷 | VVIN = 50V | 2 | nC | ||
| 電源電流 | ||||||
| ICC | VCC 靜態(tài)電流 | LI = HI = 0V，VCC = 5V | 0.08 | 0.125 | mA | |
| ICC | VCC 靜態(tài)電流 | LI = VCC = 5V，HI = 0V，LMG3100R017 | 0.17 | 5 | mA | |
| ICC | VCC 靜態(tài)電流 | LI = VCC = 5V，HI = 0V，LMG3100R044 | 0.17 | 5 | mA | |
| ICCO | 總 VCC 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VIN = 48V，LMG3100R017 | 10 | 20 | mA | |
| ICCO | 總 VCC 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VIN = 48V，LMG3100R044 | 5 | 10 | mA | |
| IHB | HB 靜態(tài)電流 | LI = HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 4.6V | 0.1 | 0.150 | mA | |
| IHB | HB 靜態(tài)電流 | LI = 0V，HI = VCC = 5V，HB-HS = 4.6V，VIN = 48V，LMG3100R017 | 0.16 | 0.25 | mA | |
| IHB | HB 靜態(tài)電流 | LI = 0V，HI = VCC = 5V，HB-HS = 4.6V，VIN = 48V，LMG3100R044 | 0.16 | 0.25 | mA | |
| IHBO | HB 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VDD = 5V，VIN = 48V，對于采用半橋配置的低側(cè)器件，LMG3100R017，HB-HS = 4.6V（由外部提供） | 1.5 | 2.5 | mA | |
| IHBO | HB 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VDD = 5V，VIN = 48V，對于采用半橋配置的低側(cè)器件，HB-HS = 4.6V（由外部提供），LMG3100R044 | 1.5 | 2.5 | mA | |