ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
通過 LMG3100 器件可以輕松設計高功率密度電路板，無需底層填料，同時仍能滿足爬電距離和間隙要求。將 GaN FET 與驅動器的共同封裝可確保盡可能降低共源電感。盡可能降低此電感對硬開關式拓撲的性能有顯著影響。
帶鉗位功能的內置自舉電路可防止高側柵極驅動器超過 GaN FET 的最大柵源電壓 (Vgs)，無需使用任何額外的外部電路。內置驅動器在 VCC 和自舉 (HB-HS) 電源軌上具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能。當 VCC 電壓低于 UVLO 閾值電壓時，器件會忽略 HI 和 LI 信號，以防止 GaN FET 發生部分導通。在 UVLO 以下，如果電壓足夠 (VVCC > 2.5V)，驅動器會主動將高側和低側柵極驅動器輸出拉至低電平。200mV 的 UVLO 閾值遲滯可防止電壓尖峰引起的抖動和意外導通。應使用容值為 1μF 或更高的外部 VCC 旁路電容器。為更大限度縮短與引腳之間的布線長度，TI 建議使用 0402 尺寸。為更大限度減少寄生電感，應將旁路電容器和自舉電容器盡可能靠近器件放置。