ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
3 說明
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續、120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds (on) 和最大電流型號，即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。該器件包含一個由高頻 GaN FET 驅動器驅動的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個高側電平轉換器和自舉電路，因此兩個 LMG3100 器件可用于形成半橋，而無需額外的電平轉換器。
GaN FET 在功率轉換方面的優勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅動器和 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。
(1) 有關所有可用封裝，請參閱節 11。
(2) 封裝尺寸（長 × 寬）為標稱值，并包括引腳（如適用）。
簡化版方框圖