ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
節 7.2 展示了具有柵極驅動器、高側電平轉換和自舉電路的 LMG3100 GaN FET，其中包括內置 UVLO 保護電路和過壓鉗位電路。鉗位電路會限制自舉刷新操作，以確保高側柵極驅動器過驅不超過 5.4V。該器件集成了一個 1.7mΩ GaN FET (LMG3100R017) 或 4.4m? GaN FET (LMG3100R044)，無需外部電平轉換器即可使用兩個 LMG3100 形成半橋。該器件可用于許多隔離和非隔離拓撲，從而實現非常簡單的集成。導通和關斷的驅動強度經過了優化，可確保高電壓壓擺率，而不會在柵極或電源環路上造成任何過多的振鈴。