ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
7.3.8 過流保護
LMG2640 可為兩個半橋 GaN 功率 FET 實現逐周期過流保護。圖 7-5 展示了逐周期過流運行。每個 INx 邏輯高電平周期都會導通 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏極電流超過過流閾值電流，過流保護會在 INx 邏輯高電平的剩余時間內關斷 GaN 功率 FET。
圖 7-5 逐周期過流保護運行
未在 FLT 引腳上報告過流保護事件。逐周期過流保護功能可更大限度地減少系統中斷，因為不會報告該事件，并且保護功能允許 GaN 功率 FET 在每個 INx 周期導通一次。
低側/高側過流保護閾值電流設置為與不同的 GaN 功率 FET 尺寸相對應的不同級別。如電流檢測仿真 中所述，在低側 GaN 功率 FET 由低側過流保護功能關斷后，會產生人工 CS 引腳電流，以防止控制器進入掛起狀態。