ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
LMG2640 可為兩個半橋 GaN 功率 FET 實現(xiàn)逐周期過流保護(hù)。圖 7-5 展示了逐周期過流運行。每個 INx 邏輯高電平周期都會導(dǎo)通 GaN 功率 FET。如果 GaN 功率 FET 漏極電流超過過流閾值電流,過流保護(hù)會在 INx 邏輯高電平的剩余時間內(nèi)關(guān)斷 GaN 功率 FET。
未在 FLT 引腳上報告過流保護(hù)事件。逐周期過流保護(hù)功能可更大限度地減少系統(tǒng)中斷,因為不會報告該事件,并且保護(hù)功能允許 GaN 功率 FET 在每個 INx 周期導(dǎo)通一次。
低側(cè)/高側(cè)過流保護(hù)閾值電流設(shè)置為與不同的 GaN 功率 FET 尺寸相對應(yīng)的不同級別。如電流檢測仿真 中所述,在低側(cè) GaN 功率 FET 由低側(cè)過流保護(hù)功能關(guān)斷后,會產(chǎn)生人工 CS 引腳電流,以防止控制器進(jìn)入掛起狀態(tài)。