ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
7.3.4 輸入控制引腳（EN、INL、INH）
EN 引腳用于讓器件在工作模式和待機(jī)模式之間進(jìn)行切換，如器件功能模式 中所述。
INL 引腳用于打開和關(guān)閉低側(cè) GaN 功率 FET。
INH 引腳用于打開和關(guān)閉高側(cè) GaN 功率 FET。
輸入控制引腳具有用于實(shí)現(xiàn)抗噪性能的典型 1V 輸入電壓閾值遲滯。這些引腳還具有典型的 400kΩ 下拉電阻，可防止輸入懸空。400kΩ 在高于 4V 的典型輸入電壓下達(dá)到飽和，以將最大輸入下拉電流限制為 10μA 典型值。
INL 導(dǎo)通操作受以下條件的影響：1) 待機(jī)模式，2) AUX UVLO，3) INH 控制互鎖，4) 低側(cè)過流保護(hù)，以及 5) 過熱保護(hù)。
INH 導(dǎo)通操作受以下條件的影響：1) 待機(jī)模式，2) AUX UVLO，3) INL 控制互鎖，4) 高側(cè)過流保護(hù)，以及 5) 過熱保護(hù)。
待機(jī)模式、AUX UVLO 和過熱保護(hù) 是通用的 INL/INH 阻斷條件。這些條件會(huì)讓兩個(gè) GaN 半橋功率 FET 保持關(guān)斷，而不受 INL 和 INH 的影響。圖 7-3 顯示了通用阻斷條件的運(yùn)行。請(qǐng)注意，高側(cè) FET 不會(huì)在轉(zhuǎn)換 4 時(shí)導(dǎo)通。如果沒有通用阻斷條件，僅當(dāng) INH 變?yōu)檫壿嫺唠娖綍r(shí)，INH 才會(huì)導(dǎo)通高側(cè) FET。這避免了不完整的高側(cè) FET 導(dǎo)通周期，該周期會(huì)在轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生不必要的尖峰電壓。
圖 7-3 通用 INL/INH 阻斷條件運(yùn)行