4 引腳配置和功能

圖 4-1 RRG 封裝，40 引腳 VQFN（頂視圖）

表 4-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說明
名稱	編號	類型⁽¹⁾	說明
NC1	1、13	NC	用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤，不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。在內部連接到 DH。
DH	2–12	P	高側 GaN FET 漏極。在內部連接到 NC1。
SW	14–16	P	高側 GaN FET 源極和低側 GaN FET 漏極之間的 GaN FET 半橋開關節點。在內部連接到 PADH。
NC2	17、21、37	NC	用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤，不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。在內部連接到 AGND、SL 和 PADL。
SL	18-20、22–27	P	低側 GaN FET 源極。在內部連接到 AGND、PADL 和 NC2。
EN	28	I	使能。用于在工作模式和待機模式之間切換。待機模式降低了靜態電流，以支持轉換器輕載效率目標。在 EN 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 EN 驅動至高于 AUX 的電平。
INH	29	I	高側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。信號在內部通過電平轉換位移到高側 GaN FET 驅動器。在 INH 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INH 驅動至高于 AUX 的電平。
INL	30	I	低側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。在 INL 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INL 驅動至高于 AUX 的電平。
AGND	31	GND	低側模擬接地。在內部連接到 SL、PADL 和 NC2。
CS	32	O	電流檢測仿真輸出。輸出與低側 GaN FET 電流成 0.616ma/A 比例的電流。將輸出電流饋入電阻器以生成電流檢測電壓信號。電阻器以電源控制器 IC 本地接地為基準。此功能取代了與低側 FET 串聯使用的外部電流檢測電阻。
NC3	33	NC	用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤，不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。內部未連接引腳。
FLT	34	O	低電平有效故障輸出。在過熱關斷期間置為有效的開漏輸出。
AUX	35	P	輔助電壓軌。低側電源電壓。在 AUX 和 AGND 之間連接一個本地旁路電容器。
RDRVL	36	I	短接至 AGND。
BST	38	P	自舉電壓軌。高側電源電壓。AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能在內部提供。在 BST 和 SW 之間連接一個大小合適的自舉電容器。建議使用 NC4 進行 SW 連接，作為與 PADH (PADH = SW) 的直通連接，如 NC4 說明中所述。
RDRVH	39	I	短接至 SW。建議使用 NC4 進行 SW 連接，作為與 PADH (PADH = SW) 的直通連接，如 NC4 說明中所述。
NC4	40	NC	引腳不起作用。引腳為高阻抗并以 SW 為基準。建議將引腳連接到 PADH (PADH = SW) 以方便連接 BST 旁路電容器和 RDRVH。請參閱布局示例部分中的電路板布局布線示例。
PADH	41	TP	高側散熱焊盤。在內部連接到 SW。所有 SW 電流都可以通過 PADH (PADH = SW) 傳導。
PADL	42	TP	低側散熱焊盤。在內部連接到 S、AGND 和 NC2。所有 SL 電流都可以通過 PADL (PADL = SL) 傳導。

(1) I = 輸入，O = 輸出，G = 接地，P = 電源，NC = 無連接，TP = 散熱焊盤。