ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 低側 GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(ls) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 ID(ls) > 50mA, VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 33 | ns | ||
| td(on)(ls) | 導通延遲時間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 VDS(ls) < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 39 | ns | ||
| tr(on)(ls) | 導通上升時間 | 從 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 2.4 | ns | ||
| td(off)(ls) | 關斷延遲時間 | 從 VINL < VINL,IT– 到 VDS(ls) > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 40 | ns | ||
| tf(off)(ls) | 關斷下降時間 | 從 VDS(ls) > 80V 到 VDS(ls) > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 16.0 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS(ls) < 250V 到 VDS(ls) < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 125 | V/ns | |||
| 高側 GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(hs) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 33 | ns | ||
| td(on)(hs) | 導通延遲時間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 VDS(hs) < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 39 | ns | ||
| tr(on)(hs) | 導通上升時間 | 從 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 2.4 | ns | ||
| td(off)(hs) | 關斷延遲時間 | 從 VINH < VINH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 40 | ns | ||
| tf(off)(hs) | 關斷下降時間 | 從 VDS(hs) > 80V 到 VDS(hs) > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 16.0 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS(hs) < 250V 到 VDS(hs) < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 2.5A | 125 | V/ns | |||
| 低側過流保護 | ||||||
| t(OC)(ls) | 過流故障響應時間，過流前 FET 導通 | 在遵從 ID(ls) 壓擺率下，從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls) | ||||
| ID(ls) di/dt = 12A/μs | 175 | ns | ||||
| ID(ls) di/dt = 24A/μs | 150 | ns | ||||
| ID(ls) di/dt = 120A/μs | 90 | |||||
| t(OC)(en)(ls) | 過流故障響應時間，FET 被啟用為短路 | VDS(ls) = 50V；從 ID(ls) > IT(OC)(ls) 到 ID(ls) < 0.5 × IT(OC)(ls) | 122 | ns | ||
| 高側過流保護 | ||||||
| t(OC)(hs) | 過流故障響應時間，過流前 FET 導通 | 在以下 ID(hs) 壓擺率下，從 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs) | ||||
| ID(hs) di/t = 12A/μs | 175 | ns | ||||
| ID(hs) di/t = 24A/μs | 150 | ns | ||||
| ID(hs) di/dt = 120A/μs | 90 | |||||
| t(OC)(en)(hs) | 過流故障響應時間，FET 被啟用為短路 | VDS(hs) = 50V；從 ID(hs) > IT(OC)(hs) 到 ID(hs) < 0.5 × IT(OC)(hs) | 122 | ns | ||
| CS | ||||||
| tr | 上升時間 | 從 ICS(src) > 0.1 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，低側啟用至 2.5A 負載 | 35 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 喚醒時間 | 從 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | μs | |||
| BST | ||||||
| 從深度 BST 到 SW 放電的啟動時間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側對 INH 上升沿做出反應，VBST_SW 在 1μs 內從 0V 上升到 10V | 5 | μs | |||
| 從淺 BST 到 SW 放電的啟動時間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側對 INH 上升沿做出反應，VBST_SW 在 0.5μs 內從 5V 上升到 10V | 2 | μs | |||