仔細(xì)的 PCB 布局對(duì)于實(shí)現(xiàn)低 EMI、穩(wěn)定的供電運(yùn)行以及出色的效率都至關(guān)重要。使高頻電流環(huán)路盡可能小，并遵循以下優(yōu)秀布局實(shí)踐指南：

1. 對(duì)于大功率電路板設(shè)計(jì)，應(yīng)至少使用具有 2oz 或更厚銅平面的 4 層 PCB。讓第一個(gè)內(nèi)層成為與安裝功率元件的頂層相鄰的接地平面，并將第二個(gè)內(nèi)層用于包括電流檢測(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)、命令等在內(nèi)的關(guān)鍵控制信號(hào)。信號(hào)層和頂層之間的接地平面有助于屏蔽頂層的開關(guān)噪聲，使其不影響控制信號(hào)。
2. 在進(jìn)行任何布線之前，優(yōu)化元件的位置和方向。放置功率元件時(shí)，應(yīng)確保端口間的功率流簡(jiǎn)單直接且距離較短。避免功率流路徑在電路板上出現(xiàn)鋸齒形。
3. 識(shí)別高頻交流電流環(huán)路。在雙向轉(zhuǎn)換器中，每個(gè)通道的交流電流環(huán)路沿著 HV 端口電壓軌電容器、高側(cè) MOSFET、低側(cè) MOSFET 的路徑，然后回到 HV 端口電壓軌電容器的回路上。放置這些元件時(shí)，要使電流路徑較短且直接，并盡可能減小環(huán)路所包圍的特殊區(qū)域。
4. 在 CH-1 和 CH-2 之間對(duì)稱放置電源電路。在 CH-1 和 CH-2 之間均勻分配 HV 端口電壓軌電容器和 LV 端口電壓軌電容器。
5. 如果在同一 PCB 上為多相使用多個(gè) LM5171-Q1，應(yīng)以類似布局放置每個(gè) LM5171-Q1 的電路。
6. 為電源電路使用充足的銅，從而更大限度地降低大電流 PCB 布線的導(dǎo)通損耗。充足的銅還有助于消散功率元件（尤其是功率電感器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器）產(chǎn)生的熱量。但是，要注意開關(guān)節(jié)點(diǎn)的多邊形，它連接高側(cè) MOSFET 源極、低側(cè) MOSFET 漏極、功率電感器和控制器 SW 引腳。開關(guān)節(jié)點(diǎn)多邊形在開關(guān)操作期間會(huì)出現(xiàn)高 dv/dt。為了更大限度減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)多邊形產(chǎn)生的 EMI 輻射，請(qǐng)確保其尺寸足以傳導(dǎo)開關(guān)電流，但不會(huì)過(guò)大。
7. 使用適當(dāng)數(shù)量的過(guò)孔將電流傳導(dǎo)到內(nèi)層以及通過(guò)內(nèi)層散熱。
8. 始終將電源地與模擬地分開，并在 PGND 引腳的位置針對(duì)電源地、模擬地和 EP 焊盤進(jìn)行單點(diǎn)連接。
9. 使用開爾文檢測(cè)技術(shù)直接跨電流檢測(cè)電阻器進(jìn)行每對(duì) CSA 和 CSB 線路的布線，從而更大限度地降低電流檢測(cè)誤差。為實(shí)現(xiàn)良好的抗噪性，這對(duì)布線需要緊密并排布放。
10. 在布線時(shí)使 CS、FBLV、FBHV、IPK、VSET、IMON、COMP 和 OVP 引腳的敏感模擬信號(hào)遠(yuǎn)離高速開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HB、HO、LO 和 SW）。
11. 緊密并排布放配對(duì)的柵極驅(qū)動(dòng)線路，即 HO1 和 SW1、HO2 和 SW2、LO1 和回路以及 LO2 和回路等線對(duì)。對(duì)稱布放 CH-1 和 CH-2 的柵極驅(qū)動(dòng)線路。
12. 將器件的設(shè)置、編程和控制元件盡可能靠近相應(yīng)的引腳放置，包括以下元件：R_OSC、R_CFG、R_DT、C_COMP1、R_COMP2、C_COMP1、C_COPM2、C_HF1、C_HF2、R_HVC、R_LVC、C_HVC、C_LVC、C_HVHF 和 C_LVHF。
13. 將旁路電容器盡可能靠近相應(yīng)的引腳放置，包括 C_HV、C_VCC、C_VDD、C_VREF、C_VSET、C_HB1、C_HB2、C_OVP、C_IPK、C_ISET、C_CS1、C_CS2 以及 100pF 電流檢測(cè)共模旁路電容器。
14. 為每層覆銅以覆蓋空白區(qū)域，從而獲得最佳熱性能。
15. 根據(jù)系統(tǒng)要求，在必要時(shí)向元件添加散熱器。