ZHCSPB0B April 2023 – September 2025 LM5171-Q1
PRODUCTION DATA
LM5171-Q1 集成的 LDO 驅(qū)動器用于驅(qū)動外部 N 溝道 MOSFET,從而在 VCC 引腳上生成 9V 輔助電源。VCC 引腳還可接受 9.5V 至 12V 的外部電源,該器件會關(guān)斷 LDO 驅(qū)動器以減少外部 LDO MOSFET 中的功率耗散。圖 6-1 顯示了輔助電源的典型連接。
當使用外部電源時,建議添加一個阻斷二極管,以防止在外部電源瞬態(tài)期間使 VCC 放電。如果外部電源電壓大于 12V,則使用 10V LDO 或開關(guān)穩(wěn)壓器為 VCC 生成 10V 電壓。VCC 電壓直接饋送到低側(cè) MOSFET 驅(qū)動器。在 VCC 和 PGND 引腳之間放置一個 1μF 至 2.2μF 的陶瓷電容,以旁路掉驅(qū)動器開關(guān)電流。對于 LDO MOSFET,建議 Ciss 約為 300pF 或更低。
內(nèi)部 VCC 欠壓 (UV) 檢測電路會監(jiān)測 VCC 電壓。當 VCC 電壓在下降沿降至 8V 以下時,LM5171-Q1 將保持在關(guān)斷狀態(tài)。為了確保正常運行,VCC 電壓需要在上升沿大于 8.5V。
一旦 VCC 電壓升高至 VCC_UV 以上,VDD 和 VREF 穩(wěn)壓器便會開啟。VDD 穩(wěn)壓器提供 5V 輸出,具有 10mA 的負載能力。在 VDD 和 AGND 之間放置一個 1μF 陶瓷電容器。VREF 是容差為 1% 的 3.5V 電壓基準,具有 2mA 負載能力。在 VREF 和 AGND 之間放置一個 0.1μF 陶瓷電容器。