4 引腳配置和功能

LM5171-Q1 LM5171-Q1 PHP 封裝，48 引腳 TQFP（頂視圖）

圖 4-1 LM5171-Q1 PHP 封裝，48 引腳 TQFP（頂視圖）

表 4-1 引腳功能

引腳		I/O#T4611898-2	說明
編號	名稱	I/O#T4611898-2	說明
1	VREF	P	內置 3.5V +/- 1% 基準電壓輸出。在 VREF 引腳和 AGND 之間連接一個 0.1μF 電容器。
2	FBLV	I	降壓模式的誤差放大器的反相輸入。當 DIR1 為高電平時，此誤差放大器處于活動狀態。不使用此放大器時短接 FBLV 和 ERRLV。
3	ERRLV	O	降壓模式下誤差放大器的輸出。當 DIR1 為高電平時，此誤差放大器處于活動狀態。不使用此放大器時短接 FBLV 和 ERRLV。
4	IMON2	O	CH-2 電流監測器引腳。一個電流源從該引腳流出。該電流源與 CH-2 電感器電流或 CH-2 升壓模式輸出電流（基于 CFG 選擇）成正比。在 IMON2 和 AGND 之間放置一個端接電阻器和濾波電容器會產生一個表示 CH-2 直流電流電平的直流電壓。IMON2 引腳上的內部 50μA 失調直流電流源將有效信號升高到接地噪聲以上，從而提高了監測器抗噪性能。
5	CSA2	I	CH-2 差分電流檢測輸入。CH-2 電流檢測電阻器放置在這兩個引腳之間。CSA2 引腳連接到功率電感器，CSB2 引腳連接到 LV 端口。
6	CSB2	I
7	ISET2	I	CH-2 電流編程引腳。ISET2 上有 1V 的失調電壓，即 CH-2 電感器電流與 (ISET2-1V) 成正比。在 DEM 下，當 ISET2 小于 1V 時，電感器電流為 0。在 FPWM 下，當 ISET2 小于 1V 時，電感器電流會反轉。
8	COMP2	O	CH-2 跨導 (gm) 誤差放大器的輸出和 CH-2 PWM 比較器的反相輸入。將環路補償網絡與該引腳相連。
9	SS/DEM2	I	ISET2 軟啟動引腳。SS/DEM2 引腳還會將 CH-2 設置為 DEM 或 FPWM 模式。外部電容器用于設置軟啟動期間 SS/DEM2 引腳電壓的斜升速率。SS/DEM2 在軟啟動期間會覆蓋 ISET2 電壓。使用外部電壓環路時，請使用 100pF 軟啟動電容器。SS/DEM2 和 AGND 之間的 60.4kΩ 電阻器會將 CH-2 設置為 DEM。CH-2 在 FPWM 模式下運行時無需該電阻器。
10	EN2	I	CH-2 使能引腳。將 EN2 拉至 2V 以上會關斷 SS/DEM2 下拉，并允許 CH-2 開始軟啟動序列。將 EN2 拉至 1V 以下會使 SS/DEM2 電容器放電，并使其保持低電平。當 SS/DEM2 放電時，兩個通道的高側和低側柵極驅動器都保持低電平狀態。
11	DIR2	I	CH-2 方向命令輸入。將 DIR2 引腳拉至 2V 以上會將轉換器設置為降壓模式。將 DIR2 拉至 1V 以下會將轉換器設置為升壓模式。如果 DIR2 引腳保持開路，器件會檢測到無效命令，并且在 MOSFET 柵極驅動器處于低電平狀態的情況下禁用 CH-2。
12	VDD	P	5V 內部 LDO 的輸出。在 VDD 引腳和 AGND 之間連接一個 1μF 電容器。
13	HV2	I	連接到 CH-2 控制器的 HV 端口。
14	HB2	I	CH-2 高側柵極驅動器自舉電源。在該引腳和 SW2 之間連接一個 0.22μF 電容器。在該引腳與 SW2 之間連接一個齊納二極管，以保護高側驅動器免受過壓影響。
15	HO2	O	CH-2 高側柵極驅動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到高側 N 溝道 MOSFET 的柵極。
16	SW2	P	CH-2 開關節點。直接連接到高側 N 溝道 MOSFET 的源極。
17	LO2	O	CH-2 低側柵極驅動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到低側 N 溝道 MOSFET 的柵極。
18	PGND	G	用于低側柵極驅動器和 VCC 輔助電源的電源接地連接引腳。
19	VCC	P	VCC 輔助電源引腳。在 VCC 引腳和 AGND 之間連接一個 2.2μF 電容器。
20	LO1	O	CH-1 低側柵極驅動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到低側 N 溝道 MOSFET 的柵極。
21	SW1	P	CH-1 開關節點。直接連接到高側 N 溝道 MOSFET 的源極。
22	HO1	O	CH-1 高側柵極驅動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到高側 N 溝道 MOSFET 的柵極。
23	HB1	I	CH-1 高側柵極驅動器自舉電源輸入。在該引腳和 SW1 之間連接一個 0.22μF 電容器。在該引腳與 SW1 之間連接一個齊納二極管，以保護高側驅動器免受過壓影響。
24	HV1	I	連接到 CH-1 控制器的 HV 端口。
25	LDODRV	O	LDO MOSFET 驅動器。連接到 LDO MOSFET 柵極以獲得 9V 穩壓 VCC。此引腳不使用時，應保持懸空狀態。
26	DIR1	I	CH-1 方向命令輸入。將 DIR1 引腳拉至 2V 以上會將轉換器設置為降壓模式。將 DIR1 拉至 1V 以下會將轉換器設置為升壓模式。如果 DIR1 引腳保持開路，器件會檢測到無效命令，并且在 MOSFET 柵極驅動器處于低電平狀態的情況下禁用 CH-1。
27	EN1	I	CH-1 使能引腳。將 EN1 拉至 2V 以上會關斷 SS1 下拉，并允許 CH-1 開始軟啟動序列。將 EN1 拉至 1V 以下會使 SS1 電容器放電，并使其保持低電平。當 SS1 放電時，兩個通道的高側和低側柵極驅動器都保持低電平狀態。
28	SS/DEM1	I	ISET1 軟啟動引腳。SS/DEM1 引腳還會將 CH-1 設置為 DEM 或 FPWM 模式。外部電容器用于設置軟啟動期間 SS/DEM1 引腳電壓的斜升速率。SS/DEM1 在軟啟動期間會覆蓋 ISET1 電壓。使用外部電壓環路時，請使用 100pF 軟啟動電容器。SS/DEM1 和 AGND 之間的 60.4kΩ 電阻器會將 CH-1 設置為 DEM。CH-1 在 FPWM 模式下運行時無需該電阻器。
29	COMP1	O	CH-1 跨導 (gm) 誤差放大器的輸出和 CH-1 PWM 比較器的反相輸入。將環路補償網絡與該引腳相連。
30	ISET1	I	CH-1 電流編程引腳。ISET1 上有 1V 的失調電壓，即 CH-1 電感器電流與 (ISET1-1V) 成正比。在 DEM 下，當 ISET1 小于 1V 時，電感器電流為 0。在 FPWM 下，當 ISET1 小于 1V 時，電感器電流會反轉。
31	CSB1	I	CH-1 差分電流檢測輸入。CH-1 電流檢測電阻器放置在這兩個引腳之間。CSA1 引腳連接到功率電感器，CSB1 引腳連接到 LV 端口。
32	CSA1	I
33	IMON1	O	CH-1 電流監測器引腳。一個電流源從該引腳流出。該電流源與 CH-1 電感器電流或 CH-1 升壓模式輸出電流（基于 CFG 選擇）成正比。在 IMON1 和 AGND 之間放置一個端接電阻器和濾波電容器會產生一個表示 CH-1 直流電流電平的直流電壓。IMON1 引腳上的內部 50μA 失調直流電流源將有效信號升高到接地噪聲以上，從而提高了監測器抗噪性能。
34	ERRHV	O	升壓模式下誤差放大器的輸出。當 DIR1 為低電平時，此誤差放大器處于活動狀態。
35	FBHV	I	升壓模式的誤差放大器的反相輸入。當 DIR1 為低電平時，此誤差放大器處于活動狀態。
36	OVP	I	內部過壓比較器的反相輸入。當 OVP 引腳電壓上升至 1V 以上時，SS/DEM1 和 VSET 電容器會放電并保持低電平，直到 OVP 引腳降至 0.9V。
37	SDA	I/O	I²C 接口的數據。如果未使用 SDA，則通過 10kΩ 電阻器拉至 VDD。
38	SCL	I	I²C 接口的時鐘。如果未使用 SCL，則通過 10kΩ 電阻器拉至 VDD。
39	SYNCO	O	時鐘同步輸出引腳。將 SYNCO 連接到下游器件 SYNCI 以實現三相或四相配置。此引腳不使用時，應保持懸空狀態。
40	SYNCI	I	外部時鐘的輸入，用于覆蓋自由運行內部振蕩器。不使用時，將 SYNCI 引腳接地。不使用時，將 SYNCI 引腳接地保留為開路。
41	OPT	I	多相配置引腳。將 OPT 引腳連接到 VDD 以實現四相運行。將 OPT 引腳連接到 AGND 以實現三相運行。
42	OSC	I	通過 OSC 和 AGND 之間的單個電阻器對內部振蕩器頻率進行編程。
43	AGND	G	模擬接地基準。通過單點連接從外部將 AGND 連接到 PGND，以提高抗噪性能。
44	CFG	I	I²C 地址和 IMON 功能選擇引腳。
45	UVLO	I	UVLO 引腳用作主要啟用引腳。當 UVLO 被拉至 1.25V 以下時，該器件處于低靜態電流關斷模式。當 UVLO 被拉至 1.25V 以上但低于 2.5V 時，該器件進入初始化模式。LDODRV 導通以控制外部 MOSFET 產生 VCC。VDD 和 VREF 也已建立。當 UVLO 被拉至 2.5V 以上時，器件已準備好運行。
46	DT/SD	I	死區時間編程和緊急鎖存關斷引腳。在 DT/SD 和 AGND 之間連接的電阻器可設定高側和低側驅動器輸出之間的死區時間。將 DT 引腳連接到 VDD 以激活內部自適應死區時間控制。當 DT/SD 引腳被拉至低電平時，器件進入鎖存關斷模式。
47	IPK	I	峰值電流限制編程引腳。IPK 電壓設置逐周期電流限制比較器的閾值。使用一個從 VREF 取電的電阻分壓器以設置 IPK 電壓。
48	VSET	I	電壓誤差放大器基準輸入引腳。當器件關斷、EN1 為低電平或 DIR1 翻轉時，VSET 引腳被拉低。使用一個從 VREF 取電的電阻分壓器以設置 VSET 電壓。將電容器連接到 VSET 以實現電壓環路軟啟動。
—	EP	—	封裝的裸露焊盤。將 EP 焊接到較大的接地層以降低熱阻。

(1) 注意：G = 地，I = 輸入，O = 輸出，P = 電源