ZHCSPB0B April 2023 – September 2025 LM5171-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輔助電源和電壓基準（VCC、VDD 和 VREF）
- 6.3.2 欠壓鎖定 (UVLO)
- 6.3.3 器件配置 (CFG)
- 6.3.4 高電壓輸入（HV1、HV2）
- 6.3.5 電流檢測放大器
- 6.3.6 控制命令
- 6.3.7 通道電流監測器（IMON1、IMON2）
- 6.3.8 逐周期峰值電流限制 (IPK)
- 6.3.9 內部電流環路誤差放大器
- 6.3.10 外部電壓環路誤差放大器
- 6.3.11 軟啟動、二極管仿真和強制 PWM 控制（SS/DEM1 和 SS/DEM2）
- 6.3.12 柵極驅動輸出、死區時間編程和自適應死區時間（HO1、HO2、LO1、LO2、DT/SD）
- 6.3.13 緊急鎖存關斷 (DT/SD)
- 6.3.14 PWM 比較器
- 6.3.15 振蕩器 (OSC)
- 6.3.16 同步到外部時鐘（SYNCI、SYNCO）
- 6.3.17 過壓保護 (OVP)
- 6.3.18 多相配置（SYNCO、OPT）
- 6.3.19 熱關斷
- 6.4 器件功能模式
- 7 寄存器
-
8 應用和實施
- 8.1 應用信息
- 8.2 PWM 轉換為 ISET 引腳上的電壓
- 8.3 ISET 鉗位
- 8.4 動態死區時間調整
- 8.5 正確端接未使用的引腳
- 8.6
典型應用
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉換器
- 8.6.1.1 設計要求
- 8.6.1.2
詳細設計過程
- 8.6.1.2.1 確定占空比
- 8.6.1.2.2 振蕩器編程 (OSC)
- 8.6.1.2.3 功率電感器、RMS 和峰值電流
- 8.6.1.2.4 電流檢測 (RCS)
- 8.6.1.2.5 電流設置命令 (ISETx)
- 8.6.1.2.6 峰值電流限制 (IPK)
- 8.6.1.2.7 功率 MOSFET
- 8.6.1.2.8 輔助電源
- 8.6.1.2.9 自舉電容器
- 8.6.1.2.10 過壓保護 (OVP)
- 8.6.1.2.11 死區時間 (DT/SD)
- 8.6.1.2.12 通道電流監測器 (IMONx)
- 8.6.1.2.13 欠壓鎖定 (UVLO)
- 8.6.1.2.14 HVx 引腳配置
- 8.6.1.2.15 環路補償
- 8.6.1.2.16 軟啟動 (SS/DEMx)
- 8.6.1.3 應用曲線
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉換器
- 8.7 電源相關建議
- 8.8 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
6.3.7.1 單個通道電流監測器
如表 6-2 所示，當 IMONx 是“監測電感器電流”時，IMONx 引腳源電流通過下述方式確定：
方程式 7.
其中
- RCS 是該通道的電流感應電阻器。
- ILm 是該通道的電感器電流。
- 50μA 是疊加到 IMON 信號上的直流失調電流。
圖 6-8 IMON 電流源與電流檢測電壓間的關系當 IMONx 配置為監測升壓輸出電流時（請參閱表 6-2），IMONx 引腳源電流通過下述方式確定：
方程式 8.
其中
- IMON_BSTOUT 是該通道的升壓模式輸出電流。
圖 6-9 IMON 電流源與升壓輸出電流間的關系引入 50μA 直流失調電流是為了將空載信號提高到高于可能的接地本底噪聲。由于監測信號為電流形式，因此即使電阻器遠離 LM5171-Q1 但靠近 MCU（從而會抑制 LM5171-Q1 和 MCU 之間的地電位差），也可在終端電阻器上獲得準確的讀數。圖 6-10 顯示了一個通過 20kΩ 終端電阻器和并聯的 10nF 至 100nF 陶瓷電容器實現的典型通道電流監測器。RC 網絡會將電流監測信號轉換為與通道直流電流成正比的直流電壓。注意，IMONx 引腳上的最大有源工作電壓為 3V。
圖 6-10 通道電流監測器