ZHCSPB0B April 2023 – September 2025 LM5171-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輔助電源和電壓基準（VCC、VDD 和 VREF）
- 6.3.2 欠壓鎖定 (UVLO)
- 6.3.3 器件配置 (CFG)
- 6.3.4 高電壓輸入（HV1、HV2）
- 6.3.5 電流檢測放大器
- 6.3.6 控制命令
- 6.3.7 通道電流監測器（IMON1、IMON2）
- 6.3.8 逐周期峰值電流限制 (IPK)
- 6.3.9 內部電流環路誤差放大器
- 6.3.10 外部電壓環路誤差放大器
- 6.3.11 軟啟動、二極管仿真和強制 PWM 控制（SS/DEM1 和 SS/DEM2）
- 6.3.12 柵極驅動輸出、死區時間編程和自適應死區時間（HO1、HO2、LO1、LO2、DT/SD）
- 6.3.13 緊急鎖存關斷 (DT/SD)
- 6.3.14 PWM 比較器
- 6.3.15 振蕩器 (OSC)
- 6.3.16 同步到外部時鐘（SYNCI、SYNCO）
- 6.3.17 過壓保護 (OVP)
- 6.3.18 多相配置（SYNCO、OPT）
- 6.3.19 熱關斷
- 6.4 器件功能模式
- 7 寄存器
-
8 應用和實施
- 8.1 應用信息
- 8.2 PWM 轉換為 ISET 引腳上的電壓
- 8.3 ISET 鉗位
- 8.4 動態死區時間調整
- 8.5 正確端接未使用的引腳
- 8.6
典型應用
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉換器
- 8.6.1.1 設計要求
- 8.6.1.2
詳細設計過程
- 8.6.1.2.1 確定占空比
- 8.6.1.2.2 振蕩器編程 (OSC)
- 8.6.1.2.3 功率電感器、RMS 和峰值電流
- 8.6.1.2.4 電流檢測 (RCS)
- 8.6.1.2.5 電流設置命令 (ISETx)
- 8.6.1.2.6 峰值電流限制 (IPK)
- 8.6.1.2.7 功率 MOSFET
- 8.6.1.2.8 輔助電源
- 8.6.1.2.9 自舉電容器
- 8.6.1.2.10 過壓保護 (OVP)
- 8.6.1.2.11 死區時間 (DT/SD)
- 8.6.1.2.12 通道電流監測器 (IMONx)
- 8.6.1.2.13 欠壓鎖定 (UVLO)
- 8.6.1.2.14 HVx 引腳配置
- 8.6.1.2.15 環路補償
- 8.6.1.2.16 軟啟動 (SS/DEMx)
- 8.6.1.3 應用曲線
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉換器
- 8.7 電源相關建議
- 8.8 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
6.3.1 輔助電源和電壓基準（VCC、VDD 和 VREF）
LM5171-Q1 集成的 LDO 驅動器用于驅動外部 N 溝道 MOSFET，從而在 VCC 引腳上生成 9V 輔助電源。VCC 引腳還可接受 9.5V 至 12V 的外部電源，該器件會關斷 LDO 驅動器以減少外部 LDO MOSFET 中的功率耗散。圖 6-1 顯示了輔助電源的典型連接。
當使用外部電源時，建議添加一個阻斷二極管，以防止在外部電源瞬態期間使 VCC 放電。如果外部電源電壓大于 12V，則使用 10V LDO 或開關穩壓器為 VCC 生成 10V 電壓。VCC 電壓直接饋送到低側 MOSFET 驅動器。在 VCC 和 PGND 引腳之間放置一個 1μF 至 2.2μF 的陶瓷電容，以旁路掉驅動器開關電流。對于 LDO MOSFET，建議 Ciss 約為 300pF 或更低。
內部 VCC 欠壓 (UV) 檢測電路會監測 VCC 電壓。當 VCC 電壓在下降沿降至 8V 以下時，LM5171-Q1 將保持在關斷狀態。為了確保正常運行，VCC 電壓需要在上升沿大于 8.5V。
一旦 VCC 電壓升高至 VCC_UV 以上，VDD 和 VREF 穩壓器便會開啟。VDD 穩壓器提供 5V 輸出，具有 10mA 的負載能力。在 VDD 和 AGND 之間放置一個 1μF 陶瓷電容器。VREF 是容差為 1% 的 3.5V 電壓基準，具有 2mA 負載能力。在 VREF 和 AGND 之間放置一個 0.1μF 陶瓷電容器。
圖 6-1 輔助電源連接