ZHCSPB0B April 2023 – September 2025 LM5171-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輔助電源和電壓基準（VCC、VDD 和 VREF）
- 6.3.2 欠壓鎖定 (UVLO)
- 6.3.3 器件配置 (CFG)
- 6.3.4 高電壓輸入（HV1、HV2）
- 6.3.5 電流檢測放大器
- 6.3.6 控制命令
- 6.3.7 通道電流監測器（IMON1、IMON2）
- 6.3.8 逐周期峰值電流限制 (IPK)
- 6.3.9 內部電流環路誤差放大器
- 6.3.10 外部電壓環路誤差放大器
- 6.3.11 軟啟動、二極管仿真和強制 PWM 控制（SS/DEM1 和 SS/DEM2）
- 6.3.12 柵極驅動輸出、死區時間編程和自適應死區時間（HO1、HO2、LO1、LO2、DT/SD）
- 6.3.13 緊急鎖存關斷 (DT/SD)
- 6.3.14 PWM 比較器
- 6.3.15 振蕩器 (OSC)
- 6.3.16 同步到外部時鐘（SYNCI、SYNCO）
- 6.3.17 過壓保護 (OVP)
- 6.3.18 多相配置（SYNCO、OPT）
- 6.3.19 熱關斷
- 6.4 器件功能模式
- 7 寄存器
-
8 應用和實施
- 8.1 應用信息
- 8.2 PWM 轉換為 ISET 引腳上的電壓
- 8.3 ISET 鉗位
- 8.4 動態死區時間調整
- 8.5 正確端接未使用的引腳
- 8.6
典型應用
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉換器
- 8.6.1.1 設計要求
- 8.6.1.2
詳細設計過程
- 8.6.1.2.1 確定占空比
- 8.6.1.2.2 振蕩器編程 (OSC)
- 8.6.1.2.3 功率電感器、RMS 和峰值電流
- 8.6.1.2.4 電流檢測 (RCS)
- 8.6.1.2.5 電流設置命令 (ISETx)
- 8.6.1.2.6 峰值電流限制 (IPK)
- 8.6.1.2.7 功率 MOSFET
- 8.6.1.2.8 輔助電源
- 8.6.1.2.9 自舉電容器
- 8.6.1.2.10 過壓保護 (OVP)
- 8.6.1.2.11 死區時間 (DT/SD)
- 8.6.1.2.12 通道電流監測器 (IMONx)
- 8.6.1.2.13 欠壓鎖定 (UVLO)
- 8.6.1.2.14 HVx 引腳配置
- 8.6.1.2.15 環路補償
- 8.6.1.2.16 軟啟動 (SS/DEMx)
- 8.6.1.3 應用曲線
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉換器
- 8.7 電源相關建議
- 8.8 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
6.3.8 逐周期峰值電流限制 (IPK)
IPK 引腳電壓對逐周期電流限制閾值進行編程。該閾值適用于 CH-1 和 CH-2。實時監測兩個相位的電流檢測信號。一旦電流檢測電壓達到編程的閾值，控制器就會終止主開關占空比，從而防止峰值電流超過該閾值；在每個開關周期中都會實現此功能。如果運行過程中出現 9 個峰值電流限制開關周期時，即表示器件寄存器故障，如果出現 4 個非峰值電流限制周期，故障自行恢復。
要將電感器峰值電流限制閾值設置為 IPK，IPK 引腳電壓的計算公式如下：
方程式 9.
選擇高于滿負載時的電感器峰值電流且低于電感器飽和電流的 IPK。
如圖 6-12 所示，使用 VREF 中的電阻分壓器對 VIPK 進行編程。VIPK 的計算公式為：
方程式 10.
圖 6-12 逐周期峰值電流限制編程建議在選擇 RIPKT 和 RIPKB 時應確保電阻器從 VREF 引腳汲取的電流不超過 0.1mA，以便保持整體 VREF 電流消耗較低。
請注意，IPK 引腳電壓需要保持在 3V 以下。當 IPK 引腳電壓由于 RIPKB 開路、RIPKT 短路或其他原因而大于 3.3V 時，內部監測電路會通過在內部將 SS1 和 SS2 拉至低電平來關閉 LM5171-Q1 的兩個控制器，從而防止 LM5171-Q1 在錯誤的峰值電流限制閾值下運行。